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InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード

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OSI optoelectronics

最終更新日:2023年08月28日

株式会社オプトロンサイエンス
株式会社オプトロンサイエンス
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◆ラージアクティブエリア ◆ビームの移動確認等に最適 ◆センサー用途

FCI-InGaAs-QXXXシリーズは、アクティブエリアを大口径にしたInGaAsフォトダイオードです。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。

    その他光学部品その他理化学機器その他計測・記録・測定器
InGaAs

InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード

InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード.jpeg
InGaAs ラージアクティブエリアフォトダイオード.jpeg
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【モデル名:アクティブエリア(直径)・エレメントギャップ・応答度1310nm・応答度1550nm・ダークカレント・キャパシタンス・ライズタイム・クロストーク・逆電圧・パッケージ】 FCI-InGaAs-Q1000:1000 μm・0.045 mm・0.9 A/W・0.95 A/W・0.5 nA Vr = 5.0V・25 pF・3ns Vr = 5.0V・1 max λ =1550nm Vr=5.0V・15 V max・FCI-InGaAs-Q1000 FCI-InGaAs-Q3000:3000 μm・0.045 mm・0.9 A/W・0.95 A/W・2 nA Vr = 5.0V・225 pF・24 ns Vr = 5.0V・1 max λ =1550nm Vr=5.0V・10 V max・FCI-InGaAs-Q3000

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株式会社オプトロンサイエンス

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光学機器

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