高速 InGaAsフォトダイオード
High Speed InGaAs PD
■小口径:60μm~300μm ■カットオフ波長:1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ:ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
- 企業:株式会社オプトロンサイエンス
- 価格:1万円 ~ 10万円
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High Speed InGaAs PD
■小口径:60μm~300μm ■カットオフ波長:1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ:ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル/デュアルステージTEクーラ ■有効径:0.3mm~5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流/低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長:1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ:TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ) OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
カメラや煙探知器、安全装置など、日常的に利用するさまざまな電子機器で使用!
「フォトダイオード」は、光を電気信号に変換する半導体デバイスです。 光のセンサ又は検出器として使用されており、代表的なのは半導体のpn接合を 利用したフォトダイオード。 光がフォトダイオードに入射すると、半導体の接合部分の電子が励起され、電流を 測定することにより光量を検出できます。 【ラインアップ(一部)】 ■フォトダイオード ams OSRAM 赤外線 Si スルーホール実装 5mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス IR + Visible Light Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-18 ■フォトダイオード ams OSRAM Full Spectrum Si スルーホール実装 3mm package ■フォトダイオード 浜松ホトニクス Full Spectrum Si スルーホール実装 TO-5 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。