高速 InGaAsフォトダイオード
High Speed InGaAs PD
■小口径：60μm～300μm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ：ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
フォトダイオード(電流測定) - 企業1社の製品一覧
製品一覧
1～4 件を表示 ／ 全 4 件
表示件数
InGaAs電子冷却式フォトダイオード
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル／デュアルステージTEクーラ ■有効径：0.3mm～5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流／低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長：1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
紫外 ＋可視光 波長用フォトダイオード
◆石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージ ◆低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇
◆波長感度は200nmから1100nm 石英又は紫外透過ガラス窓付でパッケージされた、それらのディテクターは200nmから1100nmの波長感度です。 それらは、低い暗電流、低い静電容量のための逆バイアスで高速時のパフォーマンスを上昇することができます。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
Siプラスチックカプセルフォトダイオード
◆プラスチックカプセル化されたフォトダイオード ◆高品質、高信頼性 ◆高密度パッケージ ◆強固なモールドパッケージ
・低暗電流 ・標準リード ・SMT ・モールドレンズ ・横向きあり ・チップ上にフィルター(700nmカットオフ） OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち30年以上の経験があります。当社は大量生産の要件を満たすための効率的な製造と優れたエンジニアリングソリューションを作り出し続けています。 OSI オプトエレトロニクス社はオプトエレクトロニクス分野でインドとマレーシアに世界クラスの製造施設を持ち、30年以上に渡り、フォトディレクタのOEM供給を続けております。長年の経験を基に培われた、大量生産の要件を満たすための効率的な製造ノウハウを基に、信頼性とコストパフォーマンスに優れた製品を供給しております。
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：応相談
