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シリコンパワー社産業用NANDフラッシュ製品のデータ保持性についてご紹介！
NANDフラッシュ技術は物理的な劣化の影響を受け、最終的にデバイスの 故障につながる可能性があります。 NANDフラッシュ製品の性能を規定するエンドオブライフパラメーターは 2つあり、それぞれ書き込み/消去耐久性とデータ保持性です。 本アプリケーションノートでは、NANDフラッシュ技術の信頼性試験方法に ついての視点を提供し、データ保持の観点から重要な要因の影響について 説明します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
産業用SSDの温度の定義と用語-Part Iについてご紹介いたします！
温度が高くなると、物理的にも化学的にも処理が加速します。 これは特にNANDフラッシュメモリセルの損傷に関して当てはまります。 つまり、NANDフラッシュを高温で使用すると、耐久性が著しく低下する 可能性があります。 絶縁層の特性の変化により敏感であるため、しきい値レベルを複数保存する 高密度のフラッシュでこの影響はより大きくなります。 NANDフラッシュの耐用年数を最大にするためには、フラッシュメモリ コントローラーがこれらの変化を監視し、適応していく必要があります。 周囲温度の変化やデバイスの電源オン/オフによる温度サイクルいずれも、 異なる材料は異なる速度で膨張・収縮するため、コンポーネントに 物理的なストレスを与えます。これは最終的に電気的接続の破損を 引き起こす可能性があります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
3次元TLC NAND FLASHにおける温度差効果の課題についてご紹介！
インテリジェントな接続デバイスから生成される膨大なデータを活用しよう と業界が競い合う中、インテリジェントデータ戦略の実装がさらに重要に なっています。 エッジコンピューティングは、この需要に対応するために重要な役割を 担ってきましたが、さらに要求の厳しいリアルタイムコンピューティングの ニーズが高まるにつれ、エッジ自体も進化を続けています。 堅牢なエッジコンピューティングは、リアルタイムで低遅延のデータ処理と ストレージを必要とするアプリケーションを、通常のシステムには不利な、 温度差の大きい揮発性環境で確実に機能させることができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
定常的なスループット性能についてご紹介いたします！
Solid State Storage(SSS)デバイスの性能は、以下の点に非常に依存します。 1.書き込み履歴とプレコンディショニング：テスト前のデバイスの状態 2.ワークロードパターン：I/Oのパターン(R/W混在比率、ブロックサイズ、アクセスなど) 3.データパターン：デバイスに書き込まれるデータペイロードの実際のビット 典型的なSSSデバイスは、箱から出したばかりの状態(FOB)でワークロードに さらされると、通常、短期間のみ性能が上昇し、その後は定常状態に 移行することがあります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IOPS性能評価についてご紹介いたします！
シリコンパワー社産業用SSDのIOPS性能 ●シリコンパワー社は、SSSデバイスの性能を検証するために工業規格や 性能試験仕様に準拠します。しかし、産業用アプリケーションは業界に よって異なるため、シリコンパワー社のチームはIOPS性能を評価するための オープンソースユーティリティを実装しました。 ●OS：Ubuntu 20.04 LTS 64bits ●Flexible I/O Tester suite(https://github.com/axboe/fio)fio-3.24 ●Block tracing utilities(http://git.kernel.dk/cgit/blktrace/)blktrace-1.2.0 ●補足：Testing Shell Script ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
