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フラッシュメモリ(保存) - 企業3社の製品一覧

製品一覧

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【メモリ】フラッシュメモリ ラインアップ一覧

トランジスタ間に微量の電気を保持!電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存

『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千~1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ フラッシュメモリ 32Mbit SPI ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • メモリ

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U-5x系 USB3.1 産業用USBフラッシュメモリ

電源断や寿命確認、セキュリティ要件へも対応高耐性・高パフォーマンスUSBメモリ。 選べるNAND種類とスティック/ナノタイプ。

システムブートやライセンシング用、情報通信・ネットワークを始め、幅広いシステムで採用されている産業用USBメモリです。 Swissbitでは、USB2.0と3.1規格を用意し、産業用途の設置条件や動作温度、搭載システムが直面する環境リスク、保存データの維持性能を重視して設計されます。 最新NAND技術のアルゴリズムと高性能コントローラ、厳格な品質基準で選定した搭載部品、寿命監視機能やセキュリティ機能を装備し、自社工場での完全なインプロセス試験・生産体制を確立しています。 寿命要件やパフォーマンス要求に合わせて、SLC、MLC、そしてpSLC NAND搭載品からお選び頂けます。 ■ESD・EMI安全設計: 電波障害や静電対策へ最新規格設計対応 ■長期生産供給 ■衝撃・振動対策設計 ■温拡設計:-40~85℃の動作温度保証 ■寿命監視・SMART機能 ■電源断防止機能: 高技術ハードウェアとファームウェアの適切な処理により、不意な電源供給トラブルが発生した場合でも、システム管理情報とユーザー領域のデータを確実に保護 ■高技術ウェアレベリング:書換え寿命課題に対する延命処理技術で高い信頼性

  • 組込みボード・コンピュータ
  • その他セキュリティ
  • ストレージ

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Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ

ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します!

『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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