更新日： 集計期間:2025年10月08日～2025年11月04日
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高耐久、高信頼、高速読み書きを実現！データの長期保存、高速かつ頻繁な書き換えが必要なセットに好適な高品質メモリ
『Macronix社 SLC NAND Flash』は、高い耐久性と低エラー率により、 データの長期保存や頻繁な書き換えが必要なセットに適したメモリです。 高速な読み書き性能は、リアルタイム処理や高負荷アプリケーションに好適。 エラー発生が少ないため、エラー訂正などの運用コストや手間を軽減します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■耐久性：10万回以上の書き換え可能 ■パフォーマンス：Read/Writeの速度が高速 ■信頼性：各セル1bit格納の為、データの整合性が高い/エラーの発生が少ない ■容量帯：1Gb～8Gbのラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
古いデータを消去しながら、有効なデータを保存！信頼性の高い長期的なパフォーマンス
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」 をご紹介いたします。 自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの 密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。 ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■1.8Vおよび3.3VV CC ■1Gbから8Gbまでの密度 ■ブロック消去時間は通常3msまで高速 ■ONFI 1.0仕様に準拠 ■x8 I/O インターフェイス ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します！
『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランジスタ間に微量の電気を保持！電力が供給されているかどうかに関係なく情報を保存
『フラッシュメモリ』は、データ記録を行う不揮発性メモリです。 EEPROM(電気的消去可能読み取り専用メモリ)の一種で、ブロック単位 でまとめて操作。フラッシュメモリ寿命は、通常1千～1万回程度の 書き込みと消去です。 書き込みサイクル数は限られており、変更頻度の低い ストレージに使用される傾向があります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 64Mbit ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 8Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit SPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 16Mbit クワッドSPI ■マイクロチップ,フラッシュメモリ 32Mbit SPI, ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
産業用SSDの温度の定義と用語-Part Iについてご紹介いたします！
温度が高くなると、物理的にも化学的にも処理が加速します。 これは特にNANDフラッシュメモリセルの損傷に関して当てはまります。 つまり、NANDフラッシュを高温で使用すると、耐久性が著しく低下する 可能性があります。 絶縁層の特性の変化により敏感であるため、しきい値レベルを複数保存する 高密度のフラッシュでこの影響はより大きくなります。 NANDフラッシュの耐用年数を最大にするためには、フラッシュメモリ コントローラーがこれらの変化を監視し、適応していく必要があります。 周囲温度の変化やデバイスの電源オン/オフによる温度サイクルいずれも、 異なる材料は異なる速度で膨張・収縮するため、コンポーネントに 物理的なストレスを与えます。これは最終的に電気的接続の破損を 引き起こす可能性があります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
