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厚膜形成用プラズマCVD装置。高速かつ低ストレス（特許出願中）
● 独自のセルフバイアス法の採用により高速（3000〜5000Å/min）かつ低ストレスの成膜が可能。（特許出願中） ● 室温〜350℃程度の低温成膜が可能。また、プラスチック上への成膜が可能。 ● 反応室に独自の工夫を施しているためパーティクルの発生を抑制。 ● 液体ソースのTEOSを用いるLS-CVD法によりステップカバレージと埋め込み効果に優れた成膜が可能。 ● Ge、P、Bの液体ソースを用いて屈折率の任意の制御が可能。標準1系列に加え、オプションでさらに2系列のドーパント導入系の追加が可能。
プラズマCVD装置
●コンパクトな設計でありながら、試料は3インチウエハーなら5枚、4インチウエハーなら3枚、8インチウエハーなら1枚が対応可能。 ●最大100ステッププロセスが可能。 ●ロードロック室を装備しているため安定したプロセスが可能。 ●各種安全対策のためのインターロック機構を搭載。
プラズマCVD装置
● トレーカセット方式を採用。 1. 搬送時間短縮により高スループットを実現。 2. トレー変更によりφ2インチ〜φ8インチのウエハーに対応可能。 ● 真空カセット室を採用。 1. 1カセット1回の真空排気により高スループットを実現。 2. コンタミネーションの影響回避やウエハー表面の酸化を防止。 ● 納入実績の豊富なPD-220Lの反応室をさらに信頼性の高いものに改良。
引張り～圧縮の応力制御が可能！スペースに合わせて柔軟に設置できます
サムコ株式会社では、プラズマCVD装置である『PD-270STLC／PD-2201LC』を 取り扱っております。 「PD-270STLC」は、上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜が可能。 また「PD-2201LC」は、トレイ搬送による小径ウエハの複数枚同時成膜から、 ウエハ枚葉処理による高均一な成膜まで、お客様の要望に応じて幅広く 対応できます。 【特長】 <PD-270STLC> ■液体原料SN2によるSiN成膜 ■上部、中部、底部とカバレッジ性良く成膜可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
