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フロー制御とバッファリングのための電子回路で使用されます
『FIFOメモリ』は、データをバッファリングして保存するICです。 異なる速度で動作するデバイス間でバッファリングの用途によく使用され、 帯域幅を増やし、高速通信中におけるデータ損失を防ぐために使用されており、 通常他の回路コンポーネントに結合されています。 また、パラレル入力と出力を含めることができ、プログラム可能です。通常、 コンピュータのハードウェアとCPU (中央処理装置)の同期のために使用されます。 【ラインアップ(一部)】 ■FTDI Chip FIFOメモリ ■IDT FIFOメモリ ■FIFO mem sync dual uni-dir 256X9 SOIC28 ■Renesas Electronics FIFOメモリ ■7202 1024 X 9 ASYNCHRONOUS FIFO ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産
SkyHigh MemoryのS40FC004C1B1I00000は、4Gバイト、3.3V、e.MCC 5.1互換フラッシュメモリです。産業用温度範囲-40℃~85℃に対応し、153ピンFBGAで供給されます。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。
台湾台中市および高雄市にある12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため更なる自社技術開発を進めています。
ウィンボンド・エレクトロニクスは半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、 スペシャリティDRAM モバイルDRAM コードストレージフラッシュメモリ TrustMEセキュアフラッシュメモリ で、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港、ドイツに子会社を有しています。
x16メモリの利点はパフォーマンスギャップを相殺する可能性があります。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 組み込み業界の多くの専門家は、「by-8」（x8）DRAM モジュールが「by-16」（x16）モジュールより優位であると言っています。いくつかの点ではそれは正しいですが、ここで説明するように、常にそうであるとは限りません。
