ウィンボンド・エレクトロニクス（Winbond Electronics Corp. Japan)　の会社概要

台湾・台中市 – 2025年12月03日 – 半導体メモリソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、新開発の8Gb DDR4 DRAMのリリースを発表しました。本製品は、ウィンボンド独自の高性能な16nmプロセス技術を用いて開発され、テレビ、サーバー、ネットワーク機器、産業用PC、組込みアプリケーション向けに、より高速で低消費電力、かつコスト効率に優れたソリューションをシステム設計者に提供します。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。

当社は、パシフィコ横浜にて開催される『EdgeTech＋ 2025』へ出展いたします。 当社ブースでは、通信インタフェースの検証・異常検知や回復機能を搭載した 「セキュアフラッシュメモリ」や、512Mbから4Gbまでの高容量帯かつSPIを 搭載した「シリアルNANDフラッシュメモリ」などを展示予定。 また、「フラッシュメモリのご紹介」や「今考えるべき耐量子計算機暗号 セキュリティ」など、プレゼンテーションも実施予定でございます。 皆様のご来場を心よりお待ちしております。

台湾, 台中市 - 2024-03-27 - 半導体メモリソリューションのリーディングサプライヤーであるウィンボンド・エレクトロニクス株式会社は本日、TrustME(R)セキュアフラッシュW77Qファミリの最新製品である256Mビット、512Mビット、1Gビット品を発表しました。これらは、商用、産業、およびサーバー分野で使用されるIoT エッジ デバイスを保護するための最新機能である、PQC（Post Quantum Cryptography：ポスト量子暗号）を実現できるLMS（Leighton-Micali Signature）アルゴリズムを実装したメモリ製品です。 ・・・続きは「関連資料」をご覧ください。