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真空蒸着装置の紹介です。
Virtually unlimited thin film growth techniques. ●Combined UHV SPM / XPS / UPS / MBE system ●Hybrid (PLD) Laser-MBE System (based on a LAB10 MBE System) ●UHV PLD and MULTIPROBE Compact ●Charge & spin transport in graphene layers on 2 inch substrates ●III-V MBE system for film growth on 4 inch wafers ●III-N MBE system for 3 inch substrates with additional in situ VT SPM ●MBE & Catalysis ※各装置の詳細はお問い合わせください。
コンパクトなサイズ（１インチ〜２インチ）対応のMBE装置です。
●特徴 本装置は10-8Pa以下の超高真空中に置いた基板を加熱し、基板上に堆積させたい原料を独立に供給して基板上に結晶を成長させる真空蒸着法で、蒸発原料に固体を使用して分子線蒸着源（クヌーセン・セル）により原料の蒸発を行う固体ソースMBE装置と、原料に気体や有機金属を使用するガスソースMBE装置などがございます。
パッシベーション用MBE装置は、レーザーファセットパッシベーション等のために特別設計された各種チャンバーで構成されております。
パッシベーション用MBE装置は、表面パッシベーションまたはレーザーファセットパッシベーションのために特別に設計された各種チャンバーで構成されております。表面やファセット面を保護するために、さまざまなコーティングを使用することが可能です。代表的な材料としてZnSe、SiN、酸化物等がある。 構成例として、クリーニングとパッシベーションを行うレーザーの両端でデバイスホルダーを反転させる機能が含むチャンバ、パッシベーション膜前の自然酸化膜除去する為の水素(H2)プラズマクリーニングチャンバ等を含む事も可能です。 ウエハは、高真空条件下でチャンバーからチャンバーへと移動し、プロセス全体を通して清浄度が維持されています。 お客様のご要望とプロセス時間等に応じて、プロセスチャンバーを追加することができます。
