加圧RTA装置
基板加熱温度最高1000℃！基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減！
『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能です。 【特長】 ■加熱プロセス特有の元素抜けを軽減 ■減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能 ■優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ■トレイ搬送にも対応可能 ■マルチチャンバ仕様も製作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：ジャパンクリエイト株式会社
- 価格：応相談
