【分析事例】600V耐圧SiCダイオードのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用いています。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
