GaN基板(正方形)
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
- 企業:株式会社豊港 先端材料事業部
- 価格:応相談
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窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
プローブカード・パフォーマンスボード・バーンインボード。設計から対応、反り量0.2%制御
半導体テスト装置(ATE)向けの高精度基板を提供します。プローブカードは最大板厚6.35mm、反り量0.2%(2mils/inch)でのコントロールが可能。Advantest 93000&DD、Teradyne Ultra-FLEX/J750/ETS、Chroma 3380P等の主要ATEプラットフォームに対応した実績があります。パフォーマンスボードは最大板厚6.35mm、BGA 0.35mm対応、パッドオンビア凹み量10μm以下、バックドリル最小径0.25mm/深さ公差最小0.075mm。バーンインボードは最大28層、段差付き端子金めっき加工で高多層基板にも対応。HTOL/HAST/THBなどの各種試験タイプに対応し、MCC(HPB)、LC2等の試験設備での実績があります。設計から基板製造まで一貫対応可能です。