基板『高耐熱・高熱伝導絶縁樹脂基板』
パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板などの用途に最適なDBC代替基板!
当基板は、高耐熱・高熱伝導樹脂を使用したメタルベース基板です。 主に、パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板として使用されます。 基板は、厚み18μm~800μmの銅箔と絶縁層、ベースメタルから構成されて おります。 【特長】 ■高耐熱・高熱伝導樹脂を使用 ■パワーデバイス向け ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業:TSS株式会社
- 価格:応相談
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パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板などの用途に最適なDBC代替基板!
当基板は、高耐熱・高熱伝導樹脂を使用したメタルベース基板です。 主に、パワーデバイス回路基板や高輝度LED基板として使用されます。 基板は、厚み18μm~800μmの銅箔と絶縁層、ベースメタルから構成されて おります。 【特長】 ■高耐熱・高熱伝導樹脂を使用 ■パワーデバイス向け ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。
窒化ガリウム(GaN)は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。 より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。