揮発性メモリのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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揮発性メモリ(フラッシュメモリ) - メーカー・企業と製品の一覧

揮発性メモリの製品一覧

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【メモリ】強誘電体メモリ(FRAM) ラインアップ一覧

フラッシュメモリを組み込むよりも、コストが安価!高速書込み、高書換え回数、低消費電力など

『強誘電体メモリ』は、FRAM、F-RAM、FeRAMとも呼ばれ、高速動作が 可能な不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、フラッシュメモリや EEPROMなどの不揮発性メモリと比べ、高速書込み、高書換え回数、 低消費電力などの特長を持っています。 CMOS技術を使用して埋め込まれ、マイクロコントローラにFRAMを 搭載できるようになっており、フラッシュメモリを組み込むよりも、 コストが安価になります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,SOIC,SPI,CY15B104Q-SXI ■Infineon FRAMメモリ,2Mbit,SOIC,SPI,FM25V20A-G ■Infineon FRAMメモリ,64kbit,SOIC,I2C,FM24CL64B-G ■Infineon FRAMメモリ,4Mbit,TSOP,パラレル,FM22L16-55-TG ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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強誘電体不揮発性メモリ『FeRAM​』

豊富な量産実績をもつ、高品質・高信頼性のメモリ

『FeRAM​(Ferroelectric Random Access Memory)』は、高速動作の特長を もつ強誘電体不揮発性メモリです。 データ保持にバッテリバックアップが不要で、EEPROMやフラッシュ メモリなどの不揮発性メモリと比較して、高速書込み、高書換え耐性、 低消費電力の点で優位性があります。 【特長】 ■不揮発性:バッテリバックアップ不要 ■高速書込み:消去(イレーズ)動作不要 ■高書換え耐性:10兆回保証(一部除く) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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高速QSPI搭載8Mビット不揮発性メモリ「MB85RQ8MX」

新BGA24ピン登場!高速書込み・長期保持を実現する不揮発性メモリ!電断前のデータを高速バックアップ可能なQSPI搭載FeRAM

RAMXEED株式会社が開発した「MB85RQ8MX」は、高性能FeRAM(強誘電体メモリ)を採用した 8Mビット構成の不揮発性メモリです。 バッテリ不要でデータを保持し、QSPIによる高速アクセスと高耐久・長寿命を両立します。 主な特長: ・Quad SPI(QSPI)対応で最大108MHz・54MB/sの高速書込み・読出し ・10¹⁴回の高い書換え耐性 ・データ保持期間は105℃で10年、55℃で95年以上 ・低消費電力設計(スタンバイ時30µA typ)で省電力機器にも好適 ・動作温度範囲-40℃~+105℃、産業・車載環境で安定動作 ・フラッシュメモリのような書込み遅延がなく、即時書込みが可能(ウェイトタイム不要) ・従来のSOIC16に加えて新たにBGA24ピンパッケージの追加により他メモリからの置換えが容易に 用途例: ・産業機器(HMI)、ネットワーク装置、サーバー、RAIDコントローラ ・IoT機器、監視カメラ、ゲーム機 ※サンプル対応可能。試作・評価段階での導入にも適しております。

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【CHiPLUS】磁気抵抗メモリ MRAM 不揮発性メモリー

MRAMは記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。

Chiplus(チップラス)社は、台湾の上場会社Helix Technologyグループの一員として 2002年に設立されたSRAMのメモリーデザインハウスです。 主に、低消費電力SRAM(64K~8M)や高速SRAM、擬似SRAMを製造しています。 また、2007年には台湾のLEDドライバー製造会社を買収し、Chiplus(チップラス)ブランドにて販売を開始しました。 最上位の高品質品が、日本国内大手メーカーにて採用実績があります。 今回はCHiPLUSからMRAMご紹介です。 MRAMとは、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。 電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類されます。 MRAMはDRAM並に記録密度を高めやすく、消費電力も小さい。 フラッシュメモリのように通電しなくても記憶を維持できる不揮発性を備えながら、読み書き速度も極めて高速なのが特徴です。

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