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高速QSPI搭載8Mビット不揮発性メモリ「MB85RQ8MX」

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最終更新日:2025年10月15日

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)
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新BGA24ピン登場!高速書込み・長期保持を実現する不揮発性メモリ!電断前のデータを高速バックアップ可能なQSPI搭載FeRAM

RAMXEED株式会社が開発した「MB85RQ8MX」は、高性能FeRAM(強誘電体メモリ)を採用した 8Mビット構成の不揮発性メモリです。 バッテリ不要でデータを保持し、QSPIによる高速アクセスと高耐久・長寿命を両立します。 主な特長: ・Quad SPI(QSPI)対応で最大108MHz・54MB/sの高速書込み・読出し ・10¹⁴回の高い書換え耐性 ・データ保持期間は105℃で10年、55℃で95年以上 ・低消費電力設計(スタンバイ時30µA typ)で省電力機器にも好適 ・動作温度範囲-40℃~+105℃、産業・車載環境で安定動作 ・フラッシュメモリのような書込み遅延がなく、即時書込みが可能(ウェイトタイム不要) ・従来のSOIC16に加えて新たにBGA24ピンパッケージの追加により他メモリからの置換えが容易に 用途例: ・産業機器(HMI)、ネットワーク装置、サーバー、RAIDコントローラ ・IoT機器、監視カメラ、ゲーム機 ※サンプル対応可能。試作・評価段階での導入にも適しております。

    メモリメモリ
48pin_FBGA_feram.png

高速QSPI搭載8Mビット不揮発性メモリ「MB85RQ8MX」

48pin_FBGA_feram.png
48pin_FBGA_feram.png
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  • 特設サイト - 製品・サービス詳細 - https://pr.mono.ipros.com/fujitsu-group-fsm/produc…

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不揮発性メモリ「FeRAM」MB85RQ8MX (動作電圧2.7V~3.6V)

不揮発性メモリ「FeRAM」MB85RQ8MX (動作電圧2.7V~3.6V)

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強誘電体メモリ「FeRAM商談事例」 ※使われているアプリケーションなどを紹介!

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強誘電体メモリ「FeRAMの基礎編」 ※FeRAMとはなどを解説!

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RAMXEED株式会社

RAMXEED株式会社 (旧:富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社 2025/1/1に社名変更しました)

電子部品・半導体

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当社は、高機能の電子機器に欠くことのできない高品質・高性能の メモリLSIを、永年にわたって提供しています。 近年、小型化、高性能化、低消費電力化のメモリ製品を提供するとともに、 メモリを組み合わせた適切なソリューションも提案しています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

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