モジュール『F3L11MR12W2M1_B74』
CoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載！優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています
『F3L11MR12W2M1_B74』は、高い電流のシリコンダイオードを採用しており、 cosφの全範囲に対応し、エネルギー貯蔵システムに好適なモジュールです。 モジュールを並列接続した場合、ソーラーシステムでは150kW、 蓄電システムではモジュールあたり75kWの電力を得ることが可能。 さらに、クラス最高レベルのCoolSiC トレンチMOSFET技術を搭載し、 優れたゲート酸化膜信頼性を実現しています。 【特長】 ■CoolSiC トレンチMOSFETテクノロジー ■3レベルのANPCトポロジー ■1200VのスイッチでDC1500Vのフル機能 ■Siダイオードの定格電流増加 ■PressFITテクノロジー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
