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走査プローブ顕微鏡装置（SPM）用 極高真空装置
●特徴 本装置はプローブ（探針）を物質表面上で走査させ、実空間で表面の形状を原子レベルで得ることが出来る表面分析顕微鏡装置です。プローブに負電圧を印加し、観察する試料表面に近接させ、プローブと試料表面の間の空間に流れるトンネル電流を測定することにより試料表面の形態を原子レベルで観察することができる走査型トンネル顕微鏡（STM：Scanning Tunneling Microscope:）と、プローブ先端の原子と試料表面の原子の間に働く力を検出することによって試料表面の形態を調べることができる原子間力顕微鏡(AFM：Atomic Force Microscope)などがございます。(7.1.14.10) 主な装置構成は、分析室、準備室、試料作成室、試料導入室等の超高真空〜極高真空領域の3室〜4室から構成されます。
HR-EELS装置用 極高真空装置
●特徴 本装置は非弾性散乱現象を利用し、試料中での電子エネルギー損失を計ることにより表面プラズモン(surface plasmon)電子の表面状態などを検出する電子検出形表面分析装置です。
SEM用 極高真空装置
●特徴 本装置は細く絞った電子プローブで試料上を走査し、試料内部から発生する二次電子で結像させることにより表面形状観察をCRTで観察を行う電子検出形表面分析装置です。半導体の側長、検査装置、マスク描画装置などに応用されます。
3次元アトムプローブ装置 (3D-AP) 用 極高真空装置
1988年にオックスフォード大学のA. Cerezoらにより開発された位置敏感型アトムプローブ(position sensitive atom probe PoSAP)は、アトムプローブの検出器に位置敏感型検出器(position sensitive detector)を取り入れたもので、分析に際してアパーチャーを用いずに検出器に到達した原子の飛行時間と位置を同時に測定するこができる装置です。この装置を用いれば試料表面に存在する合金中の全構成元素を原子レベルの空間分解能で２次元マップとして表示する事が出来るばかりでなく、電界蒸発現象を用いて試料表面を一原子層ずつ蒸発させることにより、2次元マップを深さ方向に拡張していくことにより3次元マップとして表示・分析が出来る顕微鏡装置です。
