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シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です
アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本資料では、分子動力学計算を用いたa-SiNx膜の構造解析事例を紹介します。
構造・流体・伝熱それぞれコンピュータ上でシミュレーションした事例のご紹介です
当資料では、『CAE解析』を行った事例についてご紹介しております。 CAEとは、設計した構造物が要求性能を満たすかどうか、実際に物を作る前に コンピュータ上でシミュレーションして調べることを言います。 可動装置の支持ブラケットにかかる応力を解析で把握する「構造解析」や 電子機器内における気体の流れと各パーツの熱移動を解析する「流体解析」 などを掲載しております。ぜひご活用ください。 【掲載項目】 ■2-(1)構造解析 事例 ■2-(2)流体解析 事例 ■2-(3)伝熱解析 事例 ■追加条件その2 非定常解析（時刻暦解析） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
建屋に発生する加速度や建屋の損傷について検討できることを示しました！
設計地震動を超える場合の免震装置の非線形性やコンクリートのひび割れを 考慮した免震原発建屋・擁壁地盤モデルの地震応答解析事例をご紹介します。 地盤をソリッド要素、建屋をシェル要素、内部コンクリート（I/C）および 基礎版をソリッド要素、免振装置をビーム要素でモデル化。 結果、建屋と擁壁間の衝突により原子炉格納容器PCCV、格納容器周辺建屋REB 及び擁壁の広い領域において面内1方向及び面内2方向ひび割れが発生している 様子が見られました。 【解析設定】 ■自重負荷後に下部基礎版底面に地震波を水平2方向＋上下方向 （水平の2/3倍）に同時入力 ■入力地震波には日本建築センター模擬地震波BCJ－L2の3倍入力を使用 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
キーとなる革新的なプロセス技術の研究・製造コストの最適化・歩留まりの改善！
プロセスは、デバイスの原価、品質、性能の決定に役立ち、また設計上の欠点を補うことも多くあります。 TechInsightsは、10人のプロセス専門家をスタッフとして抱え、140年以上にわたって蓄積されたデバイス構造解析の集合的専門知識をご提供します。 デバイスにはCMOS、バイポーラ、BiCMOS、GaAs、SiGe、銅、低誘電体、SOI、歪シリコン、MEMS、TFTが含まれますが、これらに限定されるものではありません。 TechInsightsの専門的技術によって収集されたデータを使用し、お客様の製品または競合製品の構造、材料組成、限界寸法、および製造プロセスに関する情報を、プロセス解析レポートとしてご提供します。 【対応問題例】 ○メモリ（フラッシュ、DRAM、SRAM、FeRAM）を論理デバイスに埋め込む方法 ○より進んだプロセス世代に移行する際のリスクを軽減する方法 ○主要競合製品はどのようなトランジスタ性能を持っているか ○RFデバイスはCMOSにどのように組み込まれているか 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
