半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置
物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺！反りの小さい半導体基板の製造が可能！
GaN基板の反りの問題が、低歩留まりによる高コスト化、及び低結晶品質、 小面積の低品質を招き、その結果、GaN基板の普及を妨げる最大の要因と なっています。 当発明は、気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造することを 課題としたものです。 ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、 ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で 相殺され、その結果、反りの小さい半導体基板を製造することが可能です。 【解決ポイント】 ■ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造 ■ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる一の工程 ■ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させてベース基板上に半導体を 結晶成長させる他の工程 ■一の工程と他の工程とを交互に行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：有限会社山口ティー・エル・オー
- 価格：応相談
