用シミュレーション装置 - メーカー・企業と業務用製品 | イプロスものづくり

用シミュレーション装置の製品一覧

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【分析事例】シリコン結晶中の不純物拡散シミュレーション

シミュレーションによって拡散の経路・障壁を求めることが可能です

半導体の電気的、光学的、磁気的特性は系に含まれる欠陥や不純物による影響を強く受けるため、設計通りの物性を得るためには欠陥や不純物の挙動を理解し、制御する必要があります。しかしながら、原子レベルのミクロな挙動を実験的な手法から評価するのは難しいため、計算シミュレーションを用いたアプローチが有効となります。本資料ではNEB（Nudged elastic band）法を用いた第一原理計算によって、シリコン結晶中の金属不純物（Fe）について、拡散の経路・障壁を評価した事例を紹介します。

企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
価格：応相談

受託解析
受託測定
用シミュレーション装置

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【分析事例】GCMC法によるMOFへのCO2吸着シミュレーション

MOF、ゼオライト等、ナノ多孔質体の吸着特性が予測できます！

MOF(金属有機構造体)は分離プロセス、触媒、ガス貯蔵などに対する応用可能性を秘めたナノ多孔質材料として注目されています。 MOFのトポロジー、リンカー、金属ノードの組み合わせは膨大で、合成可能なMOFの種類はほぼ無限に存在します。そのため、新規MOF材料の開発には、事前のスクリーニングと構造、機能、特性の理解が重要です。本事例では種々のMOFへのCO2吸着量をGCMC（グランドカノニカルモンテカルロ）法により予測し、吸着特性に影響を及ぼす要因を考察しました。