sic表面熱分解法 グラフェン結晶成長装置
熱分解グラフェン成長に適したsic基板加熱機構を装備
sic表面熱分解法 エピタキシャルグラフェン結晶成長装置の設計開発コンセプトは、グラフェン成長装置の小型化と簡易化。高結晶品質化・成長再現性、表面分析機器の増設・連結性と設備投資しやすい経済性です。回折パターンよりグラフェンの形成を確認。グラフェン／バッファー層が形成されています。ストリークはファセット上のグラフェンの1次元的な構造によるものと考えています。約250nm幅のテラス（0001）上にグラフェンが均一に形成され周期構造はオフ基板特有のステップパンチングの結果です。顕微Raman測定でもグラフェンの形成を確認しました。サンプル表面の光学顕微鏡像に示すテラス（赤）及びファセット（青）のRamanスペクトルを示しています。典型的なグラフェンスペクトルであり．2Dの半値幅から1層グラフェンであることが確認されまた、Dバンドはファセットにおいて大きくグラフェンの1次元構造を反映した結果であると思われます。マッピングにおいてもその様子がはっきりと観察されました。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。
- 企業：ケニックス株式会社
- 価格：応相談
