ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算シミュレータ
ナノワイヤーMOSFETの非平衡グリーン関数計算による解析ツール
ナノワイヤーMOSFETを解析するための物理モデルの特徴を紹介。シミュレーション効率を最大限に引き出すために円柱座標系を使用。チャネル領域にはNEGF(Non-Equilibrium Green's Function)を使いその他の領域には通常の移動拡散(DD: drift-diffusion)を利用したハイブリッドなアプローチ。NEGFに量子とじこめと量子バリスティック電子輸送を含むサブバンドの柔軟な選択。他の全ての移動拡散方程式を合わせたNEGF方程式の自己無撞着解。
- 企業：クロスライトソフトウェアインク日本支社
- 価格：応相談
