近傍界プローブのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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近傍界プローブ×株式会社テイエスエスジャパン - メーカー・企業と製品の一覧

近傍界プローブの製品一覧

1~15 件を表示 / 全 15 件

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RF1セット(磁界・電界プローブ)

開発プロセス中の電子アセンブリ上の30MHz~3GHzの電界と磁界を測定可能!

『RF1近傍界プローブセット』は、4本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 当セットのプローブヘッドは、電子アセンブリに非常に近づけた位置での 測定が可能。 ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、 干渉源を特定することができます。 【セット内容】 ■RF-K 7-4:H-Field Probe 30MHz~1GHz ■RF-U 2.5-2:H-Field Probe 30MHz~3GHz ■RF-R 3-2:H-Field Probe 30MHz~3GHz ■RF-E 10:E-Field Probe 30MHz~3GHz ■SMB-BNC:1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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XF-U 2.5-1(H field 磁界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『XF-U 2.5-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、導電パス、 SMDコンポーネント、ICピン内のRF電流を選択的に検出する様に 設計された製品です。 プローブヘッドには、幅約0.5mmの磁気的にアクティブなギャップがあり、 測定時には、プローブヘッドのギャップを測定対象物上に配置。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:0.5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-R 0.3-3(H field 磁界プローブ)

「RF-R 50-1」及び「RF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、はるかに高い分解能!

『RF-R 0.3-3』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 小型のプローブヘッドを備えているので、非常に高い分解能で磁場を 測定する事ができ、小さいコンポーネントでも干渉源として検出。 また、狭い場所へのアプローチも可能にします。ICピンやICケース、導電パス、 デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント周囲の領域など、 アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出します。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ2.0mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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RF-E 09(E field 電界プローブ)

「RF-E 03」及び「RF-E 04」プローブと同じ基本構造!

『RF-E 09』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面を回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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SX1セット(磁界・電界プローブ)

ICピン、導電パス、コンポーネントやコネクタ上での検査を行うことができ、干渉源を特定可能!

『SX1セット(磁界・電界プローブ)』は、3本のパッシブ磁界プローブと 専用ケーブル1本が含まれているセットです。 開発プロセス中の電子アセンブリ及びIC上の1GHz~10GHzの高クロック 周波数帯の電界及び磁界を測定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、 また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【セット内容】 ■SX-E 03:E-Field Probe 1GHz~10GHz ■SX-B 3-1:H-Field Probe 1GHz~10GHz ■SX-R 3-1:H-Field Probe 1GHz~10GHz ■SMA-SMA:1mケーブル ■ケース ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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SX-R 3-1(H field磁界プローブ)

ICピンやコンポーネント間等の狭い場所へのアプローチも可能!

『SX-R 3-1磁界プローブ』は、小型のプローブヘッドを備えている パッシブ近傍界プローブです。 非常に高い分解能でRF磁界を測定する事ができ、小さいコンポーネントでも 干渉源として検出。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~10GHz ■コネクタ:SMA female, Jack ■分解能:1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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SX-R 20-1(H field磁界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『SX-R 20-1磁界プローブ』は最大20GHzの周波数範囲をカバーする パッシブ近傍界プローブです。 非常にコンパクトなプローブヘッドを備えているので、トレース、 コンポーネント、IC上の非常に小さいRF磁界の発生源を特定することが可能。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また 電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~20GHz ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC対策製品

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SX-E 03(E field電界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『SX-E 03電界プローブ』はパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:1GHz~10GHz ■コネクタ:SMA female, Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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XF-E 09s(E field 電界プローブ)

コンパクトで大変使い易く、また電流減衰シースにより、電気的にしっかりとシールド!

『XF-E 09s』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極は、ICの表面上で分離された電界を検出。 アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能します。 「XF-E 04s」プローブと同じ基本構造ですが、小さな正方形の電極面を 回路基板上のコンポーネントやプリント基板上に配置、保持する事により、 電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:10x10mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • EMC・静電気測定器

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XF-E 10(E field 電界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『XF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 「XF-E 04s」及び「XF-E 09s」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を 持っています。電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する 必要があるため、広範囲の測定には適していません。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF-U 5-2(H field 磁界プローブ)

コンパクトで大変使い易いLanger社の近傍界プローブ!

『RF-U 5-2 』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブで、広範囲の導電パス、 ケーブル、コネクタ、電子部品等の磁場を検出できる様に設計された製品です。 プローブはカップリングクランプのように機能。プローブヘッドを コンポーネント上に直接配置すると、プローブに対し、真っ直ぐ、 又は横から入る他のソースからの磁力線も検出。 50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:6x6mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:5mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF-E 03(E field 電界プローブ)

50Ω入力のスペクトラムアナライザまたはオシロスコープに接続可能!

『RF-E 03』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計されている製品です。 プローブヘッドの下部電極面は約4x4mmで、導電パス、プリント回路基板の 単一コンポーネント等の小さい電界発生源を特定することが可能。 プローブヘッドの下部面を測定対象物に直接配置し、放出される電界を 検出します。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:4x4mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF-E 04(E field 電界プローブ)

プローブヘッドの下部電極面は約5x5mm!クロックされたラインやICの表面上で分離された電界を検出

『RF-E 04』電界プローブはパッシブ近傍界プローブで、Langer社製 スキャナー用として設計された製品です。 「RF-E 03」及び「RF-E 09」プローブと同じ基本構造。 アセンブリ上0.5~10mmの距離内でよく機能します。 小さな正方形の電極面をコンポーネントやプリント基板上に配置、 保持する事により、電気干渉の発生源を検出できます。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:5x5mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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RF-E 10(E field 電界プローブ)

「RF-E 02」及び「RF-E 05」プローブと同じ基本構造ですが、高い分解能を持っています!

『RF-E 10』電界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 プローブヘッドの電極幅は約0.2mmで、幅0.1mmの導電パスや単一ICピン等の 最小電界源でも位置を特定することが可能。 電極面を電界強度が高い測定対象物上に直接配置する必要があるため、 広範囲の測定には適していません。広範囲を測定する場合には、「RF-E 02」や 「RF-E 05」を使用してください。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:0.5x2mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~3GHz ■コネクタ:SMB male,Jack ■分解能:0.2mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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LF-R 50(H field 磁界プローブ)

大き目のヘッドにより、より大きいコンポーネントを干渉源の可能性として検出できるようになります!

『LF-R 50 磁界プローブ』は、ヘッドサイズが直径10mmのパッシブ近傍界 プローブで、最大3cm離れたアセンブリ、デバイス、またはケーブルを 測定する様に設計されています。 当製品は、その直径、感度、分解能において「LF-R 400」と 「LF-R 3」プローブの中間の性能です。 Langer社の近傍界プローブはコンパクトで大変使い易く、また電流減衰 シースにより、電気的にしっかりとシールドされています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ10mm プローブヘッド ■対応周波数帯:100kHz~50MHz ■コネクタ:SMB male,Jack ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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