【調査レポート】NEV用SiC-MOSFETの開発に関する分析
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Tesla車の好調な販売に牽引され、NEVに使用されるSiC-MOSFETパワーチップは2023年まで高い成長率を維持すると予想されます。同時に、車載充電器（OBC）、インバータ、DCDCコンバータなど、車種の主要な電子制御部品にSiC-MOSFETを組み込み、全体的な走行距離を向上させる自動車メーカーが増えています。パワー半導体産業の発展は現在、IDMが主導しています。しかし、SiC材料の歩留まりの低さと、従来のIGBTチップに比べて高いコストは、依然として制約とみなされています。歩留まり向上とコスト削減は、パワー半導体サプライヤーにとって今後の主要課題となると見られています。 当レポートでは新エネルギー車用SiC-MOSFETについてTRIの見解を提供します。
- 企業：株式会社グローバルインフォメーション
- 価格：10万円 ~ 50万円
