GaN駆動回路
特許情報から”技術と企業”の動向を見るWeb版調査報告書
■技術と企業の全体像を俯瞰できるダイナミックマップ 本ダイナミックマップは、タイトルテーマ技術に関する特許情報の調査結果を、 技術分類ごとに分けた技術側と出願上位10社までの企業側の2軸から閲覧することができる電子版特許調査報告書です。 ■対象技術 次世代パワー半導体デバイスとして期待されているのが窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスです。現在主流のシリコン（Si）パワー半導体デバイスに比べて、高耐圧、高速スイッチング・高温動作が可能です。一方、ノーマリーオンという特性やゲート耐電圧が低いなどの課題もあり、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスの性能を最大限に引き出すためには、その駆動回路が重要です。本レポートでは、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体デバイスの駆動回路に関する最近の特許情報を調査しました。 ■技術分類 ◇高速化 ◇誤点弧 ◇スイッチング損失 ◇過電圧保護 ◇過電流保護 ◇ノイズ対策 ◇ノーマリーオフ化 ◇その他 ◇参考情報
- 企業：株式会社ネオテクノロジー
- 価格：応相談
