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高速制御技術と高電圧絶縁技術により超小型・高電圧スイッチモジュールを実現！
当社が取り扱う『SiC高電圧スイッチモジュール』をご紹介します。 高速制御技術と高電圧絶縁技術により超小型・高電圧スイッチ モジュールを実現しました。 モジュールを直並列することにより、さらに高電圧（最大80kV)・ 大電力の高速スイッチが可能です（カスタムオプション）。 【仕様】 ■定格電圧：<20kVdc ■定格パルス電流：500A ■定格電流：<100Adc ■立上りスピード：50ns ■連続駆動最大周波数：1MHz ■サイズ：約150×150×150mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
200kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用可能！
当社では、パワーデバイスである炭化珪素(SiC)半導体デバイスを活用し、 高電圧機器の開発・生産を行っています。 耐電圧1kVクラスのSiCトランジスタを独自技術により直並列接続し、 10kVをこえる高電圧スイッチモジュールを実現。 高電圧・高速・繰り返しパルスを発生することに成功しています。 SiC搭載の高電圧機器を様々な先進技術・製品に応用することにより、 省エネ、環境問題の解決に貢献してまいります。 【特長】 ■高電圧・高速パルス ・20kVを超える高電圧を100kHz以上でスイッチング ■大電流パルス ・500Aをこえる電流パルスを1kpps以上の繰り返しで出力 ■高スルーレート ・200kV/μs以上のスルーレートを有しており、絶縁試験等にも利用可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
