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搭載チップはトレンチゲートを採用！電流センサーと温度センサー内蔵の1200V級
当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-MOSFETチップは200Aクラスの駆動電流で低ON抵抗（LTECで測定）と なっており、チップサイズは自動車用途としては最大クラスです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概要 ■レポート内容 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
