SiCウェーハのエッチピットの形状解析
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：東芝ナノアナリシス株式会社
- 価格：応相談
