InGaAs・ゲルマニウムフォトダイオード
低暗電流・低容量・高感度を追求したフォトダイオードシリーズ！
当社で取り扱っている「フォトダイオードシリーズ」について ご紹介いたします。 波長域800nm〜2600nmに対応しており、近赤外(NIR)から 短波長赤外(SWIR)までの波長域における高精度な検出を実現。 セグメント型・マルチセル型の位置検出フォトダイオードも 取り揃えており、光計測といった用途をサポートします。 【ラインアップ】 ■ゲルマニウム(Ge)フォトダイオード ■標準InGaAsフォトダイオード ■拡張InGaAsフォトダイオード ■高速InGaAsフォトダイオード ■InGaAs APD(アバランシェ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：株式会社日本レーザー
- 価格：応相談
