ゲートドライバーICのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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ゲートドライバーIC - メーカー・企業5社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年07月30日～2025年08月26日
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ゲートドライバーICのメーカー・企業ランキング

更新日： 集計期間:2025年07月30日～2025年08月26日
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  1. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. 旭テック株式会社 大阪府/電子部品・半導体 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  3. 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 東京都/電子部品・半導体
  4. 4 マウザーエレクトロニクス 東京都/商社・卸売り
  5. 4 Transfer Multisort Elektronik株式会社 ポーランド/電子部品・半導体
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ゲートドライバーICの製品ランキング

更新日： 集計期間:2025年07月30日～2025年08月26日
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  1. EiceDRIVER 1EDBファミリー インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  2. ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  3. ゲートドライバーIC『1ED44171N01B』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  4. 『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』 旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
  5. 『DRV832x』 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

ゲートドライバーICの製品一覧

1～14 件を表示 ／ 全 14 件

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『DRV832x』

『DRV832x』

6～60V、三相スマート・ゲート・ドライバ『DRV832x』

『DRV832x』 ファミリのデバイスは、三相アプリケーション用の統合ゲート・ ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、 それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。 当製品は、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・ レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。 スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャは、最高1Aのソースおよび2Aの シンク・ピーク・ゲート駆動電流の能力があります。また、単一電源で動作し、 ゲート・ドライバについて6～60V、オプションの降圧レギュレータについて 4～60Vの広い入力電源電圧に対応します。 【特長（抜粋）】 ■トリプル・ハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバ 　・ハイサイドとローサイドのNチャネルMOSFETを駆動 ■スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ 　・調整可能なスルー・レート制御 ■ゲート・ドライバ電源を内蔵 ■6V～60Vの動作電圧範囲 ※詳細はお問い合わせください。

  • コンバーター
  • ソフトウェア（ミドル・ドライバ・セキュリティ等）
  • DCモータ

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ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが不要

『2L-SRC Compact（1ED32xx）』は、2レベルのスルーレート制御により、 オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル 絶縁型ゲートドライバファミリーです。 当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを 制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiCのMOSFETに対応 ■最大出力電流18A ■出力間伝播遅延マッチング1ns ■絶対最大出力電源電圧40V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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EiceDRIVER 1EDBファミリー

EiceDRIVER 1EDBファミリー

ハードウェアベースの保護機能で安全な動作領域を確保！シングルチャネル絶縁ゲートドライバー

『EiceDRIVER 1EDBファミリー』は、3kVrmsの入出力間絶縁を備えた 1チャネルのゲートドライバICです。 +4/- 6 nsの伝搬遅延精度を備え、システムレベルでの高効率が求められる 高速スイッチングアプリケーションに好適。 また、システムの省電力化に対応するため、コモンモード過渡耐性（CMTI）は 300V/nsを超えており、出力ステージのクランプ速度は20nsと高速で、出力段の 低電圧誤動作防止機能（UVLO）は、4V、8V、12V、15Vから選択できます。 【特長】 ■3 kVrmsのガルバニック絶縁 ■低インピーダンス、ソース出力とシンク出力が可能 ■伝搬遅延精度：+4/- 6ns ■コモンモード過渡耐性：300V/n ■4V、8V、12V、15VのUVLOオプション ■出力クランプ速度：20 ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

ゲートドライバIC『1EDI302xAS/1EDI303xAS』

アプリケーションソフトウェアの再利用が可能！市場投入までの時間を短縮

『1EDI302xAS/1EDI303xAS』は、車載用の高耐圧ゲートドライバーです。 インフィニオンのコアレストランスフォーマー技術を用いて、 ガルバニック絶縁をまたいで信号伝達を行います。 IGBTやSiCパワー技術に最適化されたピン互換製品をラインアップ。 非常にコンパクトなパッケージデザインと高度な機能集積により、 貴重な基板スペースを節約することができます。 【特長】 ■コアレストランス技術を用いた1チャンネル絶縁型IGBT/SiCドライバー ■1200VまでのIGBT/SiC MOSFETに対応 ■最大150V/nsのCMTI（1000V時） ■UL1577準拠の基本絶縁 ■強力なアクティブミラークランプを内蔵し、ユニポーラスイッチングに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 専用IC

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三相モーター制御ゲートドライバーIC『6EDL7141』

三相モーター制御ゲートドライバーIC『6EDL7141』

効率とEMIの最適化！コードレス電動工具、園芸用品、無人搬送車などの用途に好適

『MOTIX 6EDL7141』は、BLDCモーターやPMSMモータを使用した 高性能なバッテリー駆動製品の開発を可能にする三相モーター制御 ゲートドライバーICです。 コードレス電動工具、園芸用品、無人搬送車などの用途に好適。 内蔵のデジタルSPIインターフェースを用いて50以上のパラメーターを 設定できるため、幅広い種類のMOSFETを駆動することが可能です。 【特長】 ■内蔵電源 ■ゲートドライブのパラメーターを調整し、スルーレートとEMIを最適化 ■電流シャントアンプ x 3 ■完全な専用モーター制御保護スイート ■外付け部品数とPCB面積の削減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 専用IC

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ゲートドライバーIC『EiceDRIVER 2EDN』

ゲートドライバーIC『EiceDRIVER 2EDN』

JEDECの産業用アプリケーションに完全に適合！ブートストラップ設計の起動時間を短縮

『EiceDRIVER 2EDN』は、標準/スーパージャンクションMOSFETや ワイドバンドギャップパワースイッチングデバイスの駆動に好適な 高速デュアルチャネル 4A/5Aゲートドライバーです。 アクティブ出力クランプにより、ブートストラップ設計の起動時間を短縮。 大出力電流能力、厳しいタイミング仕様、出力のスタートアップと シャットダウン時間の短縮により、2EDNファミリは多くの高速スイッチング アプリケーションにとって第一の選択肢となります。 【特長】 ■最大±5Aのソース/シンク電流 ■伝搬遅延19ns typ. ■伝搬遅延精度 +6/-4ns ■出力立ち上げ時間1.8μs ■出力シャットダウン時間500ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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ゲートドライバーIC『1ED44171N01B』

ゲートドライバーIC『1ED44171N01B』

独自のラッチアップ耐性をもつCMOS技術！、堅牢なモノリシック構造を実現

『1ED44171N01B』は、故障検出機能を搭載したEiceDRIVER 25V 1ch ローサイド非反転ゲートドライバーICです。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は 標準値で2.6 Aを提供。 また、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができ、 柔軟性のある供給を迅速に対応できる二社購買戦略を 単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能は、標準値のオン/オフ＝11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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IXDD609YI IXYS

IXDD609YI IXYS

IXDD609YI IXYS MOSFET/IGBTドライバ

IXDD609YI IXYS ローサイドゲートドライバは、超高速、高電流MOSFETおよびIGBTゲートドライバです。

  • トランジスタ

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『UCC5320』

『UCC5320』

CMTIが高く、構成可能なシングルチャネル絶縁型IGBTゲート・ドライバ『UCC5320』

『UCC5320』は8ピンのSOIC (D)パッケージで供給されます。このパッケージは沿面距離と空間距離が4mmで、 最高3kVRMSの絶縁電圧に対応でき、基本的な絶縁が必要なアプリケーションに適切です。 これら各種のオプションと広い電力範囲から、UCC5320はモータ・ドライブや産業用電源に適しています。 UCC5320S分割出力があり、ドライバの立ち上がりと立ち下がりの時間を制御するため使用できます。 UCC5320Mオプションは、トランジスタのゲートを内部的なクランプへ接続することで、ミラー電流により 誤って電源オンが発生することを防止します。UCC5320Eオプションには、GND2を基準とするUVLO2があり、 バイポーラ電源を作成しやすくなります。 【特長】 ■ピーク電流：最大4.3A ■入力電圧範囲：3～15V ■出力ドライバ電源電圧範囲：13.2～33V ■最大3kVRMSの絶縁電圧をサポート ■CMOS入力 ※詳細はお問い合わせください。

  • その他半導体

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『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 【特長】 ■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω <シングルチャネル・ガルバニック絶縁> ■機能絶縁：VIO= 1500VPC 　・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO) 　・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) ■強化絶縁 　・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定) 　・VIOWM = 1420 VDC ■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI)： 200V/ns ■タイミング 　・最小出力パルス幅：18ns 　・伝搬遅延精度：13ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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ゲートドライバーIC『TCK42xGシリーズ』

ゲートドライバーIC『TCK42xGシリーズ』

5V～24V電源ライン向けに、過電圧保護機能(OVP)付き製品を拡充しました

『TCK42xGシリーズ』は、ロードスイッチ回路の小型化と低損失化に 貢献するNch-MOSFETゲートドライバーICです。 チャージポンプを内蔵し、外付けMOSFETのゲート・ソース間に 安定電圧を供給。高い最大入力定格と幅広い動作電圧範囲を有しています。 5V～24V 電源等に使いやすい5種類のV IN_OVLOをご用意しています。 ぜひご利用ください。 【特長】 ■高い最大入力定格と幅広い動作電圧範囲 ■幅広いOVPラインアップ ■低消費電流 ■コモンドレイン接続に対応 ■チャージポンプを内蔵し、外付けMOSFETのゲート・ソース間に 　安定電圧を供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

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ゲートドライバーIC『EiceDRIVER 1EDN71x6G』

ゲートドライバーIC『EiceDRIVER 1EDN71x6G』

200VハイサイドTDIゲートドライバーIC！ハイサイドアプリケーションにも対応可能

『EiceDRIVER 1EDN71x6G』は、インフィニオン CoolGaN ショットキーゲート (SG)HEMTや、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化された、 シングルチャネルのゲートドライバーICです。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input (TDI)、4つの駆動強度 オプション、アクティブミラークランプなどがあります。 【特長】 ■ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性 ■外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化 ■アクティブミラークランプで誘導ターンオンを回避 ■オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発される 　ターンオンイミュニティを追加することが可能 ■デッドタイム中のブートストラップコンデンサーの過充電を回避 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • 専用IC

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ゲートドライバーIC「1ED44171N01B」

ゲートドライバーIC「1ED44171N01B」

堅牢なモノリシック構造を実現！出力ドライバーには電流バッファ段を搭載

「1ED44171N01B」は、EiceDRIVER 25V 1chローサイド非反転ゲート ドライバーICで、故障検出機能を搭載しています。 小型5ピンPG-SOT23パッケージで、ソース/シンク電流は標準値で2.6Aを提供。 当製品は、1つのPCBレイアウトで、ニーズのあるIRS44273Lの セカンドソースオプションとして併用することができます。柔軟性のある 供給を迅速に対応できる二社購買戦略を単一サプライヤーで実現します。 【特長】 ■最大25Vの広いVCC電源電圧範囲 ■フォールト出力およびイネーブル機能用1端子 ■プログラマブルなフォールトクリアタイム ■低電圧誤作動防止機能(UVLO)は、標準値のオン/オフ=11.9V/11.4V ■3kV ESD HBM ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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『DRV8320R』

『DRV8320R』

降圧レギュレータ搭載60V、3相スマート・ゲート・ドライバ 『DRV8320R』

『DRV8320R』は、3つのハーフブリッジ・ゲート・ドライバを備え、それぞれハイサイドとローサイドの Nチャネル・パワーMOSFETを駆動可能。 ハイサイドMOSFET用に内蔵チャージ・ポンプを、ローサイドMOSFET用にリニア・レギュレータを使用し、 適切なゲート駆動電圧を生成します。スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャは最大1Aのソースと 2Aのシンク・ピーク・ゲート駆動電流能力をサポートします。 単一電源で動作し、ゲート・ドライバに対して6V～60V、オプションの降圧レギュレータについては4V～60Vの 広い入力電源電圧をサポートします。6x、3x、1x、独立入力のPWMモードにより、コントローラの回路との 簡単な接続が可能になります。ゲート駆動とデバイスの構成設定は、SPIまたはハードウェア（H/W）インターフェイスを 使用して柔軟に変更できます。 ※詳細はお問い合わせください。

  • その他半導体
  • DCモータ
  • その他モータ

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