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ゲートドライバーIC(抵抗) - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products | IPROS GMS

ゲートドライバーIC Product List

1~3 item / All 3 items

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ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能!入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが不要

『2L-SRC Compact(1ED32xx)』は、2レベルのスルーレート制御により、 オンザフライでゲート抵抗を調整できる、コンパクトなシングルチャネル 絶縁型ゲートドライバファミリーです。 当製品は、2ピンを使ったデュアル出力タイプで、シングルあるいはデュアルを 制御することでゲート抵抗の調節が可能。最大ピーク出力電流は18A(typical)です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能(2L-SRC) ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiCのMOSFETに対応 ■最大出力電流18A ■出力間伝播遅延マッチング1ns ■絶対最大出力電源電圧40V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • ゲートドライバーIC

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『高耐圧シングルチャネル絶縁型ゲートドライバGaN IC』

高効率・高耐圧GaNスイッチ 研究開発にかかる労力、時間を削減

Infineon Technologies社の当製品は、高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER ICを使用して、GaN HEMTを駆動させます。 CoolGaN エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER ICの 1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、好適な駆動を 実現できます。 【特長】 ■低抵抗出力ソース: 0.85Ω、シンク: 0.35Ω <シングルチャネル・ガルバニック絶縁> ■機能絶縁:VIO= 1500VPC  ・VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO)  ・VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) ■強化絶縁  ・VIOTM = 8000Vpk(VDE 0884-10 未決定)  ・VIOWM = 1420 VDC ■最小同相過渡電圧耐性 (CMTI): 200V/ns ■タイミング  ・最小出力パルス幅:18ns  ・伝搬遅延精度:13ns ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体
  • ゲートドライバーIC

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ゲートドライバーIC『EiceDRIVER 1EDN71x6G』

200VハイサイドTDIゲートドライバーIC!ハイサイドアプリケーションにも対応可能

『EiceDRIVER 1EDN71x6G』は、インフィニオン CoolGaN ショットキーゲート (SG)HEMTや、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化された、 シングルチャネルのゲートドライバーICです。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input (TDI)、4つの駆動強度 オプション、アクティブミラークランプなどがあります。 【特長】 ■ハイサイド駆動とローサイドのグランドバウンス耐性 ■外付けゲート抵抗なしでスイッチング速度を最適化 ■アクティブミラークランプで誘導ターンオンを回避 ■オプションのチャージポンプにより、必要に応じて誘発される  ターンオンイミュニティを追加することが可能 ■デッドタイム中のブートストラップコンデンサーの過充電を回避 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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