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パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を実現
『FMG50AQ120N6』は、TO-247-4Lパッケージ(絶縁)のSiC MOSFETです。 両面はんだ接合による配線抵抗の低減と強固な接合を実現。 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵しており、高いノイズ耐性がございます。 産業用インバーターや無停電電源装置(UPS)、各種スイッチング電源などに 好適です。ご要望の際は、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
「Techno Block」シリーズ FCA300AD170
■小型かつ高信頼性 ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性
狭いVGS(th)レンジ！エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保
『TOLTパッケージのOptiMOS5 80V/100V』は、高出力アプリケーションや 小型電気自動車などのメインインバーターに適した半導体です。 エクスポーズドパッドに特殊な仕上げをし、優れた熱伝導性を確保。 高出力性能を備えた電子制御ユニットが、以前にも増してパワーステージの 上面冷却で設計されているため、インフィニオンはこの新しい要件を サポートする専用パッケージで、MOSFETラインアップを補完しました。 【特長】 ■上面冷却に特化したTOLTパッケージ ■最小のRDS(on)は80Vで1.1mΩ、100Vで1.5mΩまで低下 ■低いパッケージ抵抗と浮遊インダクタンスの最小化 ■狭いVGS(th)レンジ ■様々なアプリケーションの電源要件に対応する多様なRDS(on)オプション ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
家電機器、小型家電、ドライブ、その他のモータ制御アプリケーションにも好適！
『EiceDRIVER 高速レベルシフト 650V』は、高速90nsの伝搬遅延と(最大) 10nsの遅延マッチングにより、高周波数でのスイッチングが行なえます。 超高速ブートストラップダイオードを内蔵する他、優れた負のVS過渡耐性や チャンネルごとにUVLO機能を備え、優れた性能とBOMコストの削減が可能。 SMPS、UPS、eVウォールチャージャ、バッテリチャージャ、LED照明器具など、 多くのアプリケーションで使用されるLLC/LCC共振ZVSトポロジへの アプリケーションで使用できます。 【特長】 ■動作電圧(VSノード) 最大+650V ■100Vまでの負のVS過渡耐性(パルス幅300ns) ■超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵 ■90ns伝搬遅延、10ns(最大)遅延マッチング ■最大500kHzまでのスイッチング周波数をサポート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
