【分析事例】窒化ガリウムにおける欠陥準位の解析
点欠陥の形成エネルギー、電荷、光学遷移など！様々な物性情報が得られます
弊団では、第一原理計算によるワイドギャップ半導体 窒化ガリウム(GaN) における欠陥準位の解析を行っております。 ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は主にパワーデバイスの 分野で用いられ、近年では急速充電器や5G通信基地局用途としての需要が 高まっています。 ここでは第一原理計算を用いてGaN中の窒素欠損(VN)が形成する 欠陥準位の解析を行った事例を紹介します。 【測定法・加工法】 ■[PL]フォトルミネッセンス法 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
