プロセスICPエッチング装置 - List of Manufacturers, Suppliers, Companies and Products

化合物半導体プロセス用　ICPエッチング装置

化合物半導体プロセス用　ICPエッチング装置

RIE-330iPCは、放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を 採用した化合物半導体プロセス用多数枚処理エッチング装置 【特徴】 ○Φ330mmの大型トレーに対応 　Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、 　Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、 　Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の 　採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた 　エッチングが可能 ○低バイアス（-100V以下）での低ダメージプロセスが可能 ○基板ステージおよび反応室内壁の温度制御により、安定した条件での 　エッチングが可能 ○ロードロック室にもターボ分子ポンプを採用し、より安定したプロセスを提供