酸素リークによる深さ分析
SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介。
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社イオンテクノセンター
- 価格：応相談
