半導体加速度センサ EGAS [超小型] [軽量]
超小型軽量の半導体加速度センサです。小さなスペースに取り付け可能で被測定体に影響を与えません。
レンジ : ±5~±2500 G(ハーフブリッジ) 出力 : mVDC 耐ショック性能 : 最大10000 G 温度補償範囲 : -20~80 ℃ 使用温度範囲 : -40~120 ℃
- 企業:三協インタナショナル株式会社
- 価格:応相談
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超小型軽量の半導体加速度センサです。小さなスペースに取り付け可能で被測定体に影響を与えません。
レンジ : ±5~±2500 G(ハーフブリッジ) 出力 : mVDC 耐ショック性能 : 最大10000 G 温度補償範囲 : -20~80 ℃ 使用温度範囲 : -40~120 ℃
小型3軸型半導体加速度センサを代表するモデルです。高い耐ショック性能を誇るセンサです。
3方向からのショックに耐える、最大10000 G 応答周波数 DC~3000 Hz 使用温度範囲 -40~120℃ 小型軽量6 g以下
TE Connectivity社の半導体加速度計です、2軸及び3軸MEMS加速度センサ (アンプ内蔵式)安価でご提供します。
出力 : 2.5±2.0 VDC レンジ : ±2 G・±6 G オーバレンジ : 2000 G セルフテスト機能付き、 印加電圧 : 5~30 VDC/4 mA
小型半導体センサを代表する加速度センサーです。3方向からのショックに耐える頑丈な構造です。
応答周波数 DC~3000 Hz 使用温度範囲 -40~120 ℃ 重量 1 g以下 オーバレンジ最大10000 G
アンプ内蔵、高精度MEMS加速度センサで直線性・耐ショック性などに優れています。
直線性 : ±0.1 %、横軸感度誤差 : 2 %以下 印加電圧 : 4~30 VDC、 耐ショック性能 : 6000 G 使用温度補償範囲 : -55℃~125 ℃
アンプ内蔵、高精度MEMS加速度センサ。直線性・耐ショック性など高性能なセンサです。
直線性 : ±0.1 %、横軸感度誤差 : 3 %以下 印加電圧 : 4~30 VDC、 耐ショック性能 : 6000 G 使用温度補償範囲 : -55~125 ℃
アンプ内蔵型小型加速度センサーです。120℃まで使用可能、オーバレンジプロテクション
レンジ : ±50~5000 G、DC測定及びダイナノニック測定 A2 : ±15 VDC、 B2 : 24~32 VDC印加電源選択 温度補償範囲 : 20~80 ℃、 直線性 : ±1 %
DCレスポンス型3軸加速度センサーです。安価 衝突試験などタフな試験向け。
高いオーバレンジ 最大5000 G 頑丈 ローノイズケーブル採用
アンプ内蔵型MEMS 3軸加速度センサです。広い温度補償範囲、高いショックリミット、堅牢。
レンジ : ±2~±100 G 応答周波数 : 最大1000 Hz 耐ショック性能 : 最大5000 G 耐環境 : IP65 温度補償範囲:-40~100℃
DCから測定可能なMEMS式衝突用加速度センサです。 レンジ : ±50 ~±2000 G NISTトレーサブル。
オーバレンジ : 最大10000 G印加電圧 2~10 VDC 直線性1 %FS IP65 ローノイズケーブル