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ダイヤモンドライクカーボン(DLC)やグラフェンの深さ方向分析が可能
TOF-SIMSは深さ方向に質量スペクトルの取得が可能であるため、各層の定性を行うことで非常に薄い層の成分の解析が可能です。 本事例では、ハードディスクを深さ方向に分析を行いました。その結果、表面に形成されるダイヤモンドライクカーボン(DLC)層は2層構造となっており、表面側では窒素が含まれるC層、奥側でCのみの層となっていることが分かりました。この方法を応用して、グラフェン膜の深さ方向分析も可能です。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：電子部品・製造装置・部品 分析目的：組成評価・同定・組成分布評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
有機EL素子を深さ方向分解能よく評価
有機EL素子の長寿命化には、エレクトロマイグレーションによる劣化の評価が必要なため、電極金属成分の有機層への拡散の状態を調べることが重要です。しかしながら、陰極側から直接分析しても、陽極側からSSDP法*により分析しても、深さ方向分解能が低下し、界面から有機層への拡散を評価することは困難でした。（*SSDP法：裏面側からの分析。分析手法詳細編B0013参照。） そこで、特殊加工によって、陰極/有機層界面および有機層/陽極界面を露出させ、そこから有機層を分析することにより、有機層中を高い深さ方向分解能で評価することが可能になりました。
断面構造解析やTOF-SIMSによる深さ方向分析を実施！表面コート層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認可能
金属表面の印刷層のできばえ評価として、断面加工により金属との接合状態や 発色成分の分散状態を観察できます。 また、表面からTOF-SIMSのGCIBを用いた深さ方向分析を行うことで表面コート 層から金属までの成分の分布状態や発色成分を確認できます。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【GCIB 特長】 ■イオンビーム1原子当たりのエネルギーが小さいため、有機膜などの 深さ方向分析に好適 ■膜の分子構造情報を反映した高質量数のフラグメントを検出可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
