無電解Agめっき
次世代SiCパワーデバイスに対応可能！優れたパフォーマンスを実現します。
『無電解Agめっき』は、次世代SiCパワーデバイスに対応した オジックテクノロジーズの技術です。 従来の技術では、高温環境下での動作の不安定さや、デバイスの 高性能化に対応できない問題点があり、SiCパワーデバイスなどに 対応するため、より高度な処理が必要とされていました。 当社の『無電解Agめっき』は、Agナノ粒子での高融点金属接合により、 高温環境での動作が可能となるなど、従来技術の課題を解決できます。 【特長】 ■DIG (Direct Immersion Gold)などのAu代替めっきとして 優れたパフォーマンスを実現 ■下地(Cuなど)の影響を受けず、酸化せず、長期間品質を維持 ■均一な薄膜を形成(0.1~0.5μmt)することで、微細配線パターンや 部分めっきにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社オジックテクノロジーズ
- 価格：応相談
