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外部電源不要で浸漬により銀めっき皮膜が形成可能
◆置換タイプ（ダインシルバーELプロセス） ・Cu、無電解Ni-P上に良好な密着性の銀めっき皮膜が析出可能 ・浴寿命が3ターンと長く、良好な経時安定性 ・酸性のめっきプロセスで、レジストリ基板の表面処理へ対応可能 ・0.5μm以上の厚膜可能 ◆還元タイプ（ダインシルバーRDプロセス） ・触媒を付与した不導体(樹脂、ガラスなど）上に析出可能 ・1時間で約0.5μmの銀めっき皮膜が形成可能 ・60℃以下での使用が可能
外部電源不要で浸漬により銀めっき皮膜が形成可能！
【自己触媒型(還元)銀めっき：ダインシルバーRD2】 ・触媒を付与した不導体(樹脂、ガラスなど）上に析出可能 ・1時間で約0.5μmの銀めっき皮膜が形成可能 ・60℃以下での使用が可能 【置換型銀めっき：ダインシルバーELシリーズ】 ・Cu、無電解Ni-P上に良好な密着性の銀めっき皮膜が析出可能 ・浴寿命が3ターンと長く、良好な経時安定性 ・酸性のめっきプロセスで、レジスト基板の表面処理へ対応可能 ・0.5μm以上の厚膜可能、生産性up！ ■ENIGなど金めっき基板のコスト低減が可能
オジックテクノロジーズの『無電解Agめっき』はSiCパワーデバイスに対応可能！優れたパフォーマンスを実現します。
ニッケルめっき、亜鉛めっき、プラスチックめっきをマンガで簡単に解説！ めっきと言っても、さまざまなめっき処理があります。 求められる用途や環境、処理する素材によって、どのめっき処理がいいかなどは迷うものです。 『無電解Agめっき』は、SiCパワーデバイスに対応した オジックテクノロジーズの技術です。 従来の技術では、高温環境下での動作の不安定さや、デバイスの 高性能化に対応できない問題点があり、SiCパワーデバイスなどに 対応するため、より高度な処理が必要とされていました。 当社の『無電解Agめっき』は、Agナノ粒子での高融点金属接合により、 高温環境での動作が可能となるなど、従来技術の課題を解決できます。 【特長】 ■DIG (Direct Immersion Gold)などのAu代替めっきとして 優れたパフォーマンスを実現 ■下地(Cuなど)の影響を受けず、酸化せず、長期間品質を維持 ■均一な薄膜を形成(0.1~0.5μmt)することで、微細配線パターンや 部分めっきにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
