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TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です
ガラスやウエハ表面のシラノール基（Si-OH)の存在は、表面の撥水性や親水性などの特性に影響を与えます。そのため、その後の表面処理に影響を与える可能性が高く制御が必要となります。 シラノール基の定量をTOF-SIMSで行った事例をご紹介します。評価を行うにあたり、濃度の異なる数種類のサンプルを用いて検量線を作成しました。測定例では、材質・状態の異なるサンプル表面のシラノール基を比較しました。 測定法：TOF-SIMS 製品分野：LSI・メモリ・電子部品 分析目的：組成評価・同定 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
雰囲気制御下での切削により加工による変質を抑制
有機ELを搭載した市販のデジタルオーディオプレーヤーについて、通電により輝度が劣化したものと非通電のものの比較を行いました。 その結果、TOF-SIMSのスペトルにはサンプル間で差は見られませんでした。
最大70×70mm領域の組成分布評価が可能です
XPSによる広域定量マッピングの事例を紹介します。 シリコンウエハ上の有機物残渣について、以下の手順で評価しました。ピーク強度ではなく存在量（原子濃度）をグラフ化するため、試料凹凸等の影響を受けにくく、且つ広域でのデータ取得が可能です。 試料表面の組成分布を俯瞰的に評価できるため、有機系・無機系の汚染、変色、表面処理等の調査に 適しています。
絶縁物の測定が可能！金属・半導体・高分子等さまざまな材料の研究開発や不良解析に利用されています
「X線光電子分光法」は、試料表面の元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ ガラス等さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析（定性・定量）：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析（マッピング）や線分析も可能 ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
絶縁物の測定が可能！セラミック・ガラス等さまざまな材料に適用できます
「X線光電子分光法」は、試料表面(最表面～数nmの深さ)の 元素分析・化学状態分析を行う手法です。 絶縁物の測定が可能なため、金属・半導体・高分子・セラミック・ガラス等 さまざまな材料に適用可能。 表面分析の中でも多用されている手法の一つであり、材料の研究開発や 不良解析に利用されています。 【分析項目】 ■表面の組成分析(定性・定量)：ワイドスキャン、ナロースキャン ■化学シフトによる結合状態評価：ナロースキャン、波形分離 ■イオンスパッタを使用した深さ方向の組成分析：デプスプロファイル ■X線を走査することにより面分析(マッピング)や線分析も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
