XF-R 3-1(H field 磁界プローブ)
高い磁界強度にあるコンポーネントに近接しての測定に好適!
『XF-R 3-1』磁界プローブはパッシブ近傍界プローブです。 ICピンやICケース、導電パス、デカップリングコンデンサ、EMCコンポーネント 周囲の領域など、アセンブリ上のRF磁界を直接高分解能検出。 「XF-R 100-1」及び「XF-R 400-1」プローブと同じ基本構造ですが、当製品は はるかに高い分解能を持っています。 【仕様】 ■タイプ:近傍界プローブ ■サイズ:Φ3mmプローブヘッド ■対応周波数帯:30MHz~6GHz ■コネクタ:SMA female,Jack ■分解能:1mm ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業:株式会社テイエスエスジャパン
- 価格:応相談