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結晶性物質の同定や結晶方位の解析ができる電子顕微鏡観察！金属材料全般に適用
『透過型電子顕微鏡（TEM）』は、高い加速電圧の電子線を試料に照射し、 試料を透過した電子線を電磁レンズで拡大することによって透過電子像や 電子線回折像を得ます。 透過電子像では結晶粒界、欠陥、ひずみ、析出物の有無などが観察でき、 電子線回折像からは結晶性物質の同定や結晶方位の解析ができます。 【特長】 ■1,000～1,000,000 倍での観察 ■EDS 分析による超微小領域の元素同定（分析元素：C～U の定性・半定量分析） ■結晶性物質の同定や結晶方位の解析 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察
TEMの球面収差を補正したCsコレクタ付TEM装置を用いることで、高分解能で素子の断面構造観察を行うことができます。 本事例では市販のハードディスクから磁気ヘッドを取り出し、MTJ：磁気トンネル接合(Magnetic tunneljunction）部の高分解能(HR)-TEM観察を行ったデータを紹介します。 このように金属の極薄膜の多層構造でも明瞭に構造を観察することが可能です。
加熱in-situ TEMを用い、半導体デバイスの熱処理中の材料の構造変化をnmレベルで可視化、プロセス開発に役立てる事例紹介。
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。 【要旨】 半導体デバイスの開発・製造において、熱処理工程における材料の構造変化を把握することは非常に重要である。加熱in-situ TEMを用いることにより、熱処理中の材料の熱挙動をnmレベルで可視化し、構造変化に関する新たな知見を得て、膜質制御などプロセス開発に役立てることが可能となる。本稿では、加熱in-situ TEMを用いて、(1)結晶構造解析を併用したアモルファスシリコン膜の結晶成長メカニズム解析、(2)元素分析を併用した金属積層膜の熱挙動把握、(3)平面での薄膜ルテニウム膜の結晶成長過程の観察を行った事例を紹介する。 【目次】 １. はじめに ２. 加熱in-situ TEMの概要と特長 ３. 加熱in-situ TEMの解析事例 ４. まとめ
InGaZnO4粒子の超高分解能STEM観察
Csコレクタ（球面収差補正機能）付きSTEM装置により、超高分解能観察（分解能0.10nm）が可能となりました。原子量に敏感なHAADF※-STEM像は多元系結晶構造を直接理解できる有効なツールです。今回、酸化物半導体中微粒子の評価を行いましたので紹介します。異種材料界面・化合物界面の原子配列、粒界偏析評価などに応用できます。 ※High-Angle Annular Dark-Field： 原子量（Z)に比例したコントラストが得られます。
LVEM 5 は他に類を見ない「卓上タイプ」「低価格」の「透過型電子顕微鏡（TEM）」。オプションでSEM/STEM追加可能。
【LVEM5の主な特徴】 ◆1台でTEM（電子回析含む）、SEM、およびSTEMイメージングモードが搭載できる汎用性。サンプルの同じ領域を、TEM、SEM、STEMモードを切り替えるだけで観察が可能。（各イメージモード搭載時） ◆抜群の省スペース設計、卓上タイプなので特別な施設も不要。 ◆低電圧（5KV）の為、生体材料観察時に試料へのダメージ軽減及び、染色無しでの観察、軽元素・軽金属の観察に有効。 ◆簡単操作で誰にでも扱える為、専任オペレータは不要。 ◆独自設計の永久磁石レンズは冷却が不要 ◆イオンゲッターポンプの採用によりクリーンで振動が無く、高真空を実現。 ◆簡単に切替が出来るイメージングモード 複数のイメージングモードを切替えて実行出来る為、表面画像と透過画像の両方をキャプチャする事が可能です。 また、カラムを再調整したり試料を調整をすることなく、ワンクリックでモードを切替え使用が出来ます。
