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物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【微少領域形態観察 透過電子顕微鏡（HR-TEM）】 ○高速電子線を薄く加工された試料に照射し、透過および散乱する電子の結像により拡大像や結晶構造の情報を提供する手法。 ○薄膜の構造、結晶性の評価に適している。また高分解能観察により結晶構造の観察が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
ナノオーダーでの元素分析・状態評価・粒径解析・三次元立体構築像の取得
TEMは、薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 ■長所 ・サブナノレベルの空間分解能で拡大像が得られ、試料の微細構造・格子欠陥等を観察・解析可能 ・試料の結晶性を評価し、物質の同定を行うことが可能 ・ＦＩＢで試料作製することにより、デバイス内の指定箇所をピンポイントで観察することが可能 ・オプション機能を組み合わせることにより、局所領域の組成・状態分析なども可能 ■短所 ・試料を薄片化する必要がある（一部の試料において薄片化が困難な場合もある） ・単原子を見ているのではなく、試料の厚み方向（通常約0.1μm厚） の平均情報を映し出している ・試料加工および観察により、試料が変質・変形することがある
超高分解能STEMによるCdS/CIGS接合界面高抵抗層の結晶構造評価
Csコレクタ付STEM装置を用いてCdS/CIGSヘテロ接合界面を直接観察しました。 TEM像・高分解能HAADF-STEM像および第一原理計算を用いたシミュレーションから、CIGSとCdSがヘテロエピタキシャル接合している様子が確認されました。
充電前後の電極の様子およびLiの存在・分布を評価可能
Siは高容量負極活物質の候補の一つですが、充放電時の非常に大きな体積変化のためにサイクル劣化が激しいと言われています。 充電前後のSi負極に関して雰囲気制御環境下で解体、観察をしました。更に、FIBマイクロサンプリング法により断面観察用サンプルを作成し、Csコレクタ付きSTEM装置で形状観察とEELS測定を行い、Si電極の様子と電極中のLi分布を評価しました。
高分子や半導体など、幅広い分野の研究開発に活躍するTEM（透過電子顕微鏡法）の基礎知識や分析事例を収録
TEM（透過電子顕微鏡法）は、薄片化した試料に電子を照射し、 試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。 MSTでは、TEMの特徴や試料作製方法など基礎知識を掲載した『TEMの基礎』と 代表的な分析事例や他手法との複合解析例などを掲載した『TEMの応用と事例』を進呈中！ 写真や図を用いてわかりやすく紹介した資料です。 【掲載内容（一部）】 <TEMの基礎> ■TEM、STEMで何がわかるか ■TEM、STEMの特徴 ■試料作製方法 ■コントラストの要因 ■TEM、STEMの使い分け ■超高分解能HAADF観察 <TEMの応用と事例> ■分析事例 ・雰囲気制御＆冷却下でのTEM分析 ・SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価 ・微細トランジスタの構造評価 ※小冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、 “カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。 （ダウンロードいただけるPDF資料は冒頭の数ページとなります）
極小に絞った電子ビームを試料に照射！試料内部の原子像分布・形態などを画像化
当社で行っている「STEM(走査型透過電子顕微鏡)分析法」について ご紹介いたします。 原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来、 明視野観察で構造情報を、暗視野像やHAADF像観察で物質の密度・ 元素情報を得ることが可能。 また、物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 観測することが出来ます。 【特長】 ■原子像やサブnmオーダーで物質の構造を捉えることが出来る ■物質界面などの極微小領域での結晶状態・結晶方位を直接的に 観測することが出来る ■高面分解能画像観察により結晶欠陥を直接観察することも可能 ■極微小領域での元素・組成情報を得ることが出来る ■SEM-EDS法では検出できない微小領域や微量の分析が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
