新規次世代パワー半導体の研究開発拠点を開所
低損失化、高耐圧化、小型化の面で優位性を持つ、GeO2半導体の製膜事業の早期参入を目指す！
株式会社クオルテック(本社：大阪府堺市、以下「クオルテック」)は、 「滋賀県立テクノファクトリー」内に、新規半導体材料を使用した パワー半導体の製膜における研究開発拠点を開所しました。 開所式にはクオルテックが本研究開発に関して資本業務提携し、 「琵琶湖半導体構想(案)」を推進する立命館大学発ベンチャー、 Patentix株式会社(本社：滋賀県草津市)も出席し、開所式を行いました。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【本拠点開所の背景】 ■「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」のPhantom SVD法による4インチ Siウエハ(100)上への製膜に成功 ■二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO2薄膜の電気特性評価や 膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を 進めていくため ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
