TDDB(酸化膜破壊)試験
寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要
当社で行う、TDDB(酸化膜破壊)試験をご紹介いたします。 半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つにつれ 酸化膜の破壊が発生します。 これを酸化膜破壊(TDDB：Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、 半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。 このTDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。 【特長】 ■複数電圧やドレイン-ソース電圧印加、ゲート-ソース電圧印加なども可能 ■恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社クオルテック
- 価格：応相談
