【分析事例】酸化ガリウムGa2O3イオン注入ダメージ層の評価
イオン注入後のアニール条件の違いによる差異を確認
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。デバイスの開発には、特性を左右する不純物濃度や結晶性の制御が重要です。本資料では、イオン注入による結晶構造の乱れから生じるダメージ層及び表面粗さの変化を、アニール条件毎に観察した結果を示します。 測定法：TEM・AFM 製品分野：酸化物半導体・パワーデバイス 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
