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国際安全規格の認定を取得！2.5A IGBTゲート駆動用フォトカプラ
『ACNV3130-000E』は、AlGaAs技術を採用したLEDと、それに光学的に 結合する集積回路で構成されたIGBTゲート駆動用フォトカプラです。 2.5Aの最大ピーク出力電流を得ることができる出力段を備える、 最大定格が1700V/100AまでのIGBTを駆動することが可能。 UL規格とIEC 60747-5-5規格の認証取得に必要な7.5kV RMSの入出力間 絶縁電圧V ISOと2262V PEAKの動作絶縁耐圧V IORMを達成しています。 【特長】 ■2.5Aの最大ピーク出力電流 ■最大で500nsの伝搬遅延 ■伝搬遅延の誤差は最大でも350ns ■優れたCMR（同相信号除去）性能：同相電圧V CM = 1500Vにおいて40kVμs ■電源電流I CCは最大でも5.0mA ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
海外安全規格対応！ヒステリシス付きLED電流入力
『ACPL-W346-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する 集積回路と光学的に結合された2.5Aピーク電流出力の 高速ゲート駆動用フォトカプラです。 パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供。 電圧および高ピーク出力電流は、MOSFETを高速のスイッチング周波数で 直接駆動して変換効率を高めるのに理想的です。 【特長】 ■最大ピーク出力電流2.5A ■最小ピーク出力電流2.0A ■レールtoレール出力 ■最大伝達遅延120ns ■最大伝達遅延差50ns ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
正/負電源用のヒステリシス付きアンダーボルテージロックアウト保護
『ACPL-339J-000E』は、高性能な1Aピークデュアル出力のIGBTおよび パワーMOSFETゲート駆動用フォトカプラです。 様々な定格電流のMOSFETバッファに対応。素子の変更に伴う重要な回路絶縁と 短絡防止の設計変更は、低電力定位から高電力定位までのモータ制御および 電力変換アプリケーションのゲート駆動設計の拡張性を最大化することができます。 【特長】 ■外部NMOSおよびPMOSバッファを駆動するデュアル出力 ■最小ピーク出力電流1.0A ■MOSFETバッファでの上下短絡を防ぐアクティビティ・タイミング制御 ■IGBT非飽和（DESAT）検出 ■光学的に分離されたDESATおよびUVLOフォルト・フィードバック ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
