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【仕様(一部)】 ■動作電圧範囲:1.5V~6.0V ■出力電圧:2.63V±1.5% ■最大出力電流:150mA(300mA Limit) ■入出力電位差:510mV@IOUT=100mA ■低消費電流:0.8μA ■出力端子シンク電流:0.24μA ■スタンバイ電流:0.01μA ■機能:電流制限 ■出力コンデンサ:セラミックコンデンサ ■動作周囲温度:-40℃~105℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■低消費電流:1.2μA ■入力電圧範囲:3.5V~20.0V ■出力電圧範囲:2.5V~5.5V(0.1V ステップ) ■出力電圧精度:±1.5% ■最大出力電流:200mA ■スタンバイ電流:0.15μA ■高リップル除去:50dB@1kHz ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■入力電圧範囲:0.65V~6.0V(動作開始電圧:0.9V) ■出力電圧設定範囲 ・1.8V~5.5V(A/B/Cタイプ) ・2.2V~5.5V(A/B/Cタイプ以外) ■発振周波数:1.2MHz ■出力電流 ・710mA @VOUT=5.0V, VIN=3.3V ・420mA @VOUT=3.3V, VIN=1.8V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■入力電圧範囲:1.8V~6.0V ■出力電圧設定範囲 ・0.5V~1.9V(0.05V ステップ) ・2.0V~3.6V(0.1V ステップ) ■出力電圧精度 ・±20mV(VOUT1,2≦1.0V) ・±2.0%(VOUT1,2>1.0V) ■出力電流:150mA ■消費電流:200nA@VOUT=1.8V ■制御方式:PFM制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■動作電圧範囲:2.2V~6.0V ■VSEN電圧範囲:0.0V~76.0V ■検出電圧範囲:2.3V~20.0V ■解除電圧範囲:2.5V~24.0V(検出電圧の+5%~+50%) ■検出電圧精度:±1.5%(Ta=25℃), ±3.0%(Ta=-40℃~125℃) ■解除電圧精度:±1.5%(Ta=25℃), ±3.0%(Ta=-40℃~125℃) ■検出電圧温度特性:±50ppm/℃ ■低消費電流 ・IDD 0.5μA @ VDD=2.2V ・ISEN 0.15μA @ VSEN=12V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■入力電圧:2.5V~6.0V ■出力電圧範囲:0.7V~3.6V(±2.0%) ■出力電流:600mA ■消費電流:11μA ■発振周波数:4MHz, 6MHz ■効率(fOSC=4MHz):90.0%(VIN=3.7V, VOUT=1.8V,IOUT=200mA) ■制御方式 ・HiSAT-COT制御 ・PWM制御(XC9290) ・PWM/PFM自動切替制御(XC9291) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(一部)】 ■入力電圧範囲:2.0V~6.0V ■出力電圧範囲:1.2V~3.4V(0.1V ステップ) ■最大出力電流:300mA ■出力電圧精度 ・±1.0%(VOUT(T)≧2.0V) ・±20mV(VOUT(T)≦1.9V) ■高リップル除去:75dB @1kHz ■消費電流:100μA ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【概要(抜粋)】 VOUT端子に電圧が印加されVIN-20mV以上になるとドライバFETをOFFします。 更にVOUT端子電圧がVIN+20mV以上高くなるとICの内部電源をVINからVOUTに切り替えるため、 VOUT端子から寄生ダイオードを通ってVIN端子への逆流電流を防止するとともに VINからICへ流れる電流を遮断します。 これにより出力電圧OR回路を容易に実現することができ、バックアップ用途の バッテリーの消費を抑制することが可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他の特長】 ■MCUの動作モードに応じた好適な出力電圧を選択することで 機器全体の消費電力削減に貢献 ■軽負荷での高効率が重視される機器および電池駆動時間を重視する機器に好適 ■周辺部品としてはインダクタンス値を2.2uHにすることで、 PFM制御の欠点であるリップル電圧の低減と実装面積の小型化を実現 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【ラインアップ(抜粋)】 ■N-channel MOSDETs ・XP232N0301TR-G ・XP233N0501TR-G ・XP234N0801TR-G ・XP235N2001TR-G ・XP261N7002TR-G ・XP262N7002TR-G ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(抜粋)】 ■低消費電流:0.6μA TYP. (PS時) ■出力電圧精度 ・±1.0% (VOUT≧2.00V) ・±20mV (VOUT≦1.95V) ■入力電圧範囲:1.6V~6.0V ■出力電圧範囲:1.2V~5.0V (0.05V step) ■最大出力電流:150mA ■出力コンデンサ:セラミックコンデンサ対応 ■動作周囲温度:-40℃~+105℃ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【仕様(抜粋)】 ■入力電圧:1.8V~6.0V ■スタンバイ電流:0.001uA (TYP.) ■消費電流(Turn-On時):0.13uA (TYP.) ■最大出力電流 ・内蔵FETのみ - 1000mA(VIN=2.0V) ・外付けFET有 - FETに依存 ■動作温度:-40℃~+85℃ ■パッケージ:USP-8B06 (2.0 x 2.0 x h0.33mm) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他特長】 ■静電放電から後段に配置されたICを保護 ■端子容量が小さく高速信号ラインに対応 ■USB3.0等のライン保護にてきしている ■TVSダイオード4素子を搭載 ■EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮している ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【その他特長】 ■静電放電から後段に配置されたICを保護 ■端子容量が0.8pFと小さいことから高速信号ラインへの対応が可能 ■USB2.0、HDMI等のライン保護に適している ■TVSダイオード2素子を搭載し、機器の小型化に貢献 ■EU RoHS 指令、Pb フリー対応で環境に配慮している ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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