●容量：128Ｍbits、256Mbits ●パッケージ：24-ball BGA,16-pin SOIC ●動作周波数：200MHz (1.8V)、133MHz (3.0V) ●動作温度：Industrial(－40～＋105℃)、Automotive(－40～＋125℃)対応 ●ECC機能：1ビット訂正2ビット検知(16バイト単位)、ERR端子付き ●その他：書き換え回数10万回、8ビットデータバス幅、DDR動作による高いデータ転送レート

• メモリ

【関連製品のご紹介】 ◎テールライト用LEDドライバ「IS32LT3181」 　単一の外付け抵抗で6個のLEDチャネルの電流調整が可能 ◎FxLEDドライバ「IS32FL3738/3740」 　48個のLED制御に対応。正確な輝度・カラー調整が可能 ◎故障レポート付きPWM調光LEDドライバ「IS32LT3954」 　4.5～40Vの幅広い入力電圧に対応。航空機用、インテリア照明用としても使用可能 ◎75V高耐圧バックブーストLEDドライバ「IS32LT3957」 　バッテリ電圧が上下した場合も一定の電流供給が可能。 　車載用ヘッドライト、フロント及びリアフォグライト、日中走行用ライトに好適 ※詳しくはPDFダウンロードより資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。 ※半導体メーカーの方への評価ボードの無償提供はお断りさせて頂いております。予めご了承ください。

• チップ型LED
• その他半導体

■動作電圧：5～28V ■出力電流精度：+/-5% ■低ドロップアウト電圧：1V以下@100mA ■PWMディミング ■アンダーボルテージロックアウト機能 ■レポート付きエラー検出機能 ■パッケージ：eTSSOP-16 ■動作温度範囲：-40～+125℃ ■AEC-Q100準拠

• チップ型LED
• その他半導体

■動作電圧：5V~75V ■バックブースト機能搭載（高耐圧75V) ■高精度出力電流：+/-3.5％（全温度範囲） ■インラッシュ電流を防ぐソフトスタート機能 ■アンダーボルテージロックアウト機能 ■EMI軽減機能：周波数拡散、外部のクロック同期 ■レポート付きエラー検出機能 ■パッケージ：16TSSOP ■動作温度：-40℃~+125℃ ■AEC-Q100準拠

• チップ型LED
• その他半導体

■製品名：IS31FL3741、IS31FL3742 ■多数個のLED ： 最大 351個のLED (39×9)マトリクス ■劇場的な調光 –：各LEDに対する3つの選択可能な滑らかな調光シナリオ ■ゴースト除去機能 ：LEDの完全なオン又はオフを保証 ■8-bit ドット補正 ：個々の256の DCピーク電流制御ステップ ■動作温度：-40℃～+125℃ ■パッケージ：60QFN(IS31FL3741),48QFN(IS31FL3742)

• チップ型LED
• その他半導体

インターフェース：DDR3 容量：1Gbits, 2Gbits, 4Gbits, 8Gbits , 16Gbits ワード構成：ｘ８、ｘ１６ビット データ転送レート：最大２１３３MT/ｓ 動作温度：Industrial(－40〜＋85℃）/ Automotive (－40〜＋125℃）対応

• メモリ

【その他の特長】 ■2μAのローパワーシャットダウン ■スペクトラム拡散によるEMI最適化 ■ロバストな故障防止とレポート機能： 　・Pin-to-GND ショート 　・コンポーネントのオープン／ショート故障 　・隣接ピン間ショート 　・LED オープン／ショート ■AEC-Q100 認証申請中 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

• チップ型LED
• その他半導体

■AEC-Q100準拠 ■障害検出：システム通知機能による個々のLEDのオープン/ショート障害検出 ■ゴースト消去機能： ■グローバル電流セット：256ステップのグローバル電流セット ■8ビットモノクロコントロール：個々の256PWM制御ステップ ■8ビット　ドット修正：個々の256DC　ピーク電流制御ステップ

• チップ型LED
• その他半導体

■製品名：IS31FL3236A ■電源電圧：2.7～5.5V ■１２インタフェース、アドレス自動インクリメント ■４つの選択可能なI2Cアドレス ■リセットレジスタ内蔵 ■256ステップのPWMによるLED輝度調節 ■動作温度：-40～+85℃

• チップ型LED

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 内装部品
• その他電子部品
• チップ型LED

【その他の特長】 ■最⼩電⼒消費を実現する為にLED 負荷の電圧を正確に維持することが必要な場合に、 　熱の発⽣源を分散させるのに役⽴つ ■電源投⼊時のエラーレポートを無効にする為のプログラマブルUVLOを装備 ■どこかに⽣じた故障はシステムレベルの動作不良へと繋がり、1か所の故障か、 　全部の故障かのようにレポートすることが可能 ■⼀般的なディスクリートによる設計に⽐べて、部品点数を減らしより優れた機能を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

• 内装部品
• その他電子部品
• チップ型LED

■ECC機能：1bitエラー訂正（4bit単位） ■容量：2G、４G ■電圧：1.35V,1.5V ■動作温度：Commercial(0～+95℃）、Industrial/A1(-40～+95℃） 　　　　　　A2(-40～+105℃）、A3(-40～+125℃） ■パッケージ：78BGA、96BGA

• メモリ
• 操縦系部品

■単チャンネルLEDドライバ ■マイクロコントローラ不要 ■フェードイン／フェードアウト：63階調　※外付け抵抗による独立制御 ■入力電圧：5V～42V ■出力電流：最大150mA　※外付抵抗による制御 ■動作保証温度：-40～+125℃ ■パッケージ：SOP-8-EP ■AEC-Q100準拠

• 内装部品
• チップ型LED
• その他電子部品

【その他の特長】 ■各分野において長期製品供給をサポート ■CRCとバウンダリングスキャンを標準装備 【4Gbit DDR4 DRAM　製品情報】 産業・通信市場向けモデル「IS43QR16256A」 車載向けモデル「IS46QR16256A」 ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

• メモリ
• その他電子部品
• その他の自動車部品

製品名：IS46TR16640ED、IS46TR81280E ECC機能：1bitエラー検知＆修正 　　　　　アルゴリズムやI/Oの追加不要 動作電圧：1.5V 動作保証温度：A1(-40～+95℃）、A2(-40～+105℃）、A3(-40～+125℃） パッケージ：96BGA,78BGA サンプル：供給可能 ECC機能付き2G&4Gサンプル、2017年供給開始予定

• メモリ
• その他の自動車部品
• その他半導体

【主な仕様】 ■I2S入力：16/18/20/24bit Fs：32KHz/44.1KHz/48KHz/64KHz/88.2KHz/96KHz/128KHz/176.4KHz/192KHz ■電源電圧：3.3Vデジタル回路用　10V～26Vスピーカドライバ用 ■IS31AP2111：20W 8Ω Stereo (BTL)／40W 4Ω Mono (PBTL)※ ■IS31AP2121：25W 8Ω Stereo (BTL)／50W 4Ω Mono (PBTL)※ または12W 4Ω Stereo (SE)＋25W 8Ω (BTL)サブウーファー用※ ※24V電源使用時 ■サウンドプロセッサ機能 20バンドイコライザ、3Dサラウンド、デジタルボリューム、ミキシングなど ■アンチPOPノイズ設計 ■短絡保護、過熱保護（セルフレベリング）など ■I2C入力コントロール ■パッケージ：24ピンeTSSOP（IS31AP2111）, 48ピンeLQFP（IS31AP2121）

• アンプ
• 携帯電話・PHS・データ通信カード
• プリンタ

【主な仕様】 ■供給電圧：2.4～3.6V ■動作電流（Max）：Industrial 95ｍA、Automotive 140ｍA ■動作温度：Industrial -40～105℃、Automotive(A3) -40~+125℃ ■アクセスタイム：10ns ■パッケージ：48TSOP1、48BGA

• メモリ
• 電装備部品
• ルータ・スイッチ・ハブ

【主な仕様】 ■エラー訂正ECC機能内蔵 ■電源電圧：2.4V-3.6V VDD ■超低スタンドバイ電流（ZZ＃ピン制御） ■ALE＃ピン制御によりアドレスおよびCSのラッチも可能 ■高速アクセスタイム：12ns、15ns ■パッケージ：48ｍBGA(6ｘ8ｍｍ)、44TSOP2 ■自動車用途向けに必要な125℃対応 ■Lead Free対応

• メモリ
• 電装備部品
• ルータ・スイッチ・ハブ

【主な仕様】 ■車載グレード対応温度　＜－４０～８５℃／１０５℃／１１５℃（業界初）＞ ■2024年までの長期供給　＜2016年2月末日現在＞ ■供給電源DDR2－1.8VＶ／DDR3ー1.5V、1.35V ■AEC-Q100準拠 ■オートリフレッシュ ■セルフフレッシュモード ■OCD(Off-Chip Driver Impedance Adjustment) ■ODT(On Die Termination) ■パッケージ：DDR2　126/84/60BGA, DDR3 96/78BGA

• メモリ
• 電装備部品
• 内装部品

【主な仕様】 ■Vcc=2.5V/3Vおよび1.8V ■133MHｚの周波数に対応 ■1.28MB/ｓの高速プログラミングスループット ■80MHｚのDouble Data Rate (DTR/DDR)モード ■動作温度：-40～+125℃ ■パッケージ：SOIC-16, SOIC-8, VSOP-8, WSON(6x5/8x6),BGA-24 ■AEC-Q100準拠

• メモリ
• 電装備部品
• 携帯電話・PHS・データ通信カード

【仕様】 ■DRAM供給電圧：1.2V/1.8V ■DRAMスピード：533,400,333Mhz ■Flash供給電圧：1.8V ■Flashスピート：133Mhz ※詳しくはカタログダウンロード、もしくはお問い合わせください。

• その他半導体
• その他電子部品

■型番：IS31FL3732 ■入力電圧：2.7～5.5V ■動作温度範囲：-40度～85度 ■パッケージ：QFN-40(5ｘ5ｍｍ) ●詳しくはお問合せ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

• LEDモジュール
• その他電子部品
• その他半導体

■先進運転支援システム, 車載カメラ等向けQPI/DTR対応SPIフラッシュ ■製品名：IS25LP032(32Mbit), IS25LP064(64Mbit), IS25LP128(128Mbit) ■スピード：532Hz/QPI, 66MHz/DTR ■電源電圧：2.3～3.6V ■動作温度範囲：A1 grade -40～85度 / A2 grade -40～105度 / A3 grade -40～125度 ■パッケージ：SOIC, VSOP, WSON, TFBGA ■AEC-Q100準拠 ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

• メモリ
• その他半導体

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• LEDモジュール
• メモリ

【仕様】 ○製品名：IS25LQ080B(8Mb),IS25LQ016B(16Mb),IS25LQ032B(32Mb) ○スピード：416MHz equivalent Quad SPI ○電源電圧：2.3V ～ 3.6V ○動作温度範囲：-40’C ～ + 125℃ ○パッケージ →8M:SOP(8) 150mil/208mil, VSOP(8) 208mil, WSON 6x5mm →16M:SOP(8) 150mil/208mil, SOP(16) 300mil, VSOP(8) 150mil, 　WSON 6x5mm, WSON 8x6mm →32M:SOP(8) 150mil/208mil, SOP(16) 300mil, SOP(8) 208mil, 　WSON 6x5mm/8x6mm,BGA(24) ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

• メモリ

【特長】 ○車載向けの新しい高温動作DRAM（A25 grade） ○-40℃～+115℃という広い動作温度範囲 ○この動作温度の拡張は、既存のSDRAM, Mobile, DDR2, 　Low Power DDR2,DDR3にも幅広く展開 →広い温度範囲にわたり長期高信頼システムを必要とされる 　アプリケーションに対応することが可能 ○ISSIの全ての車載向け製品はAEC-Q100に準拠 ●詳しくはお問い合わせください。

• メモリ

【特長】 ○最先端のDTR インターフェース、Serial Flash Discoverable Parameters(SFDP)と 　2 サイクル入力命令（QPI mode）を導入し設計 ○DTRモードは、ピン数を増やさず、標準の８ピンパッケージを維持したまま、 　スローなクロックスピードでもスループット向上を可能にした ○最も競争力のある525Mb/秒（66MB/s 同等）の読取りスループットが可能 ○高速プログラミングによってプログラミング時間を劇的に短縮することで 　生産コストを削減することができる ○通常のSPI-DTR NOR フラッシュの約２倍の速度にあたる 　業界最速78KB/s の消去時間の実現も可能 ○容量移動経路を要求されるシステムにおいて完全な互換性がある ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

• メモリ

【特長】 ○エラー訂正（ECC）機能付き高速SRAMラインナップ拡充 ○1Mb/2Mb/4Mb/8Mb高速非同期SRAMおよび2Mb/4Mb同期SRAM ○車載、産業、医療、通信など、ソフトエラー耐性が求められるアプリに最適 ○ISSI従来品や他社品と高い互換性あり、ソケットリプレースが可能 ●詳しくはお問い合わせください。

• メモリ

【特長】 ○レガシーDRAM/ 16－512Mb (x8/x16/x32構成)-2022年長期供給保障 ○DDR、DDR2（128Mb/256Mb/512Mb/1Gb/2Gb）-2022年長期供給保障 ○DDR3（1Gb、2Gb、4Gb/ 各x8/x16） – 品質重視、長期供給対応 ○動作温度範囲　0～+70C/-40～+85C/-40～+105C ○ADAS、メーター関連アプリ向け　－40～＋115C品発売、サンプル受付中 ○Mobile DRAM（2.5V、1.8V）、32M-512M / Mobile DDR（1.8V）、32Mb-2Gb量産中 ○Low Power DDR2（1.8V、1.2V） – 1Gb量産中、また 2Gは sample受付中 ●詳しくはお問い合わせください。

• メモリ

【仕様】 ○出力1)：BTLモード20W/CH (24V時8Ω、0.2%THD+N) ○出力2)：PBTLモード40W/CH(24V時4Ω、0.11%THD+N) ○電源電圧：8V～26V ○動作温度範囲：-40～85度 ○パワーリミット機能 ○多彩な保護機能：短絡保護、定電圧/過電圧保護、過熱保護等 ○eTSSOP-28パッケージ(9.8mm x 6.55mm) ●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。 ※こちらのカタログは英語のカタログになります。

• アンプ
• 専用IC